| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第16-32页 |
| 1.1 前言 | 第16页 |
| 1.2 热电理论研究背景简介 | 第16-18页 |
| 1.2.1 热电效应 | 第16-17页 |
| 1.2.2 热电性能的影响参数 | 第17-18页 |
| 1.3 热电材料研究现状 | 第18-23页 |
| 1.3.1 氧化物热电材料 | 第18-21页 |
| 1.3.2 合金半导体热电材料 | 第21-23页 |
| 1.4 SnS热电材料的研究 | 第23-25页 |
| 1.5 SnS的物理化学性质 | 第25页 |
| 1.6 SnS薄膜的制备方法 | 第25-29页 |
| 1.6.1 电沉积法 | 第25-26页 |
| 1.6.2 模板辅助的电沉积法 | 第26-27页 |
| 1.6.3 化学浴法 | 第27-28页 |
| 1.6.4 化学气相沉积法 | 第28页 |
| 1.6.5 溶胶-凝胶法 | 第28-29页 |
| 1.6.6 热蒸发法 | 第29页 |
| 1.7 本文的主要研究目的、意义、内容及其创新 | 第29-32页 |
| 第二章 实验材料的制备及其测试 | 第32-38页 |
| 2.1 实验材料以及仪器 | 第32-34页 |
| 2.1.1 主要使用的化学试剂 | 第32-33页 |
| 2.1.2 主要使用的实验仪器 | 第33-34页 |
| 2.2 实验方法 | 第34-36页 |
| 2.2.1 实验装置 | 第34页 |
| 2.2.2 基片的前处理 | 第34-36页 |
| 2.3 样品所用到的表征手段 | 第36页 |
| 2.4 样品性能测试 | 第36-38页 |
| 第三章 SnS半导体薄膜的电化学制备与表征 | 第38-68页 |
| 3.1 电沉积SnS的电化学影响因素的条件研究 | 第38-40页 |
| 3.1.1 SnCl_2溶液加入K_4P_2O_7络合剂后的极化行为 | 第38-39页 |
| 3.1.2 络合剂对于Na_2S_2O_3·5H_2O阴极极化行为的影响 | 第39-40页 |
| 3.1.3 电沉积液中的电化学行为 | 第40页 |
| 3.2 pH值对薄膜组分的影响 | 第40-41页 |
| 3.3 沉积电位以及退火温度对薄膜结构、组分以及形貌的影响 | 第41-58页 |
| 3.3.1 沉积电位-0.9V时,退火温度对结构、形貌、组分的影响 | 第41-46页 |
| 3.3.1.1 沉积电位-0.9V时,退火温度对结构的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.1.2 沉积电位-0.9V时,退火温度对形貌的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.1.3 沉积电位-0.9V,不同退火温度的薄膜组分退火温度对成分的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.1.4 沉积电位-0.9V时,不同退火温度的Raman表征 | 第44-46页 |
| 3.3.2 沉积电位-1.0V时,退火温度对结构、形貌、组分的影响 | 第46-53页 |
| 3.3.2.1 沉积电位-1.0V时,退火温度对结构影响 | 第46-47页 |
| 3.3.2.2 沉积电位-1.0V时,退火温度对形貌影响 | 第47-48页 |
| 3.3.2.3 沉积电位-1.0V,不同退火温度薄膜的成分 | 第48-49页 |
| 3.3.2.4 沉积电位-1.0V时,不同退火温度的Raman表征 | 第49-51页 |
| 3.3.2.5 沉积电位-1.0V时,不同退火温度的XPS表征 | 第51-53页 |
| 3.3.3 沉积电位-1.1V时,退火温度对结构、形貌、组分的影响 | 第53-58页 |
| 3.3.3.1 沉积电位-1.1V时,退火温度对结构的影响 | 第53-54页 |
| 3.3.3.2 沉积电位-1.1V时,退火温度对形貌的影响 | 第54-55页 |
| 3.3.3.3 沉积电位-1.1V,不同退火温度的薄膜组分 | 第55-56页 |
| 3.3.3.4 沉积电位-1.1V,不同退火温度的Raman表征 | 第56-58页 |
| 3.4 沉积时间对结构、组分以及形貌的影响 | 第58-64页 |
| 3.4.1 沉积时间对结构的影响 | 第58-60页 |
| 3.4.2 沉积时间对形貌的影响 | 第60-61页 |
| 3.4.3 沉积时间对成分的影响 | 第61-62页 |
| 3.4.4 不同沉积时间的Raman表征 | 第62-64页 |
| 3.5 薄膜的热电性能 | 第64-65页 |
| 3.6 本章小结 | 第65-68页 |
| 第四章 (001)织构的SnS薄膜的制备及其研究 | 第68-78页 |
| 4.1 (001)织构晶面的SnS薄膜的制备 | 第68-75页 |
| 4.1.1 加入不同量SDS对结构的影响 | 第68-70页 |
| 4.1.2 加入不同量SDS对形貌的影响 | 第70-72页 |
| 4.1.3 加入不同量SDS对成分的影响 | 第72页 |
| 4.1.4 加入不同量SDS的Raman表征 | 第72-75页 |
| 4.2 (001)织构晶面的SnS薄膜的热电性能 | 第75页 |
| 4.3 本章小结 | 第75-78页 |
| 第五章 (100)织构的SnS薄膜的制备及其研究 | 第78-86页 |
| 5.1 (001)织构晶面的SnS薄膜的制备 | 第78-84页 |
| 5.1.1 加入不同量的CTAB对结构的影响 | 第78-80页 |
| 5.1.2 加入不同量CTAB对形貌的影响 | 第80-81页 |
| 5.1.3 加入不同量CTAB对成分的影响 | 第81-82页 |
| 5.1.4 加入不同量CTAB的Raman表征 | 第82-84页 |
| 5.2 (100)织构晶面的SnS薄膜的热电性能 | 第84-85页 |
| 5.3 本章小结 | 第85-86页 |
| 第六章 (010)织构的SnS薄膜的制备及其研究 | 第86-94页 |
| 6.1 (010)织构晶面的SnS薄膜的制备 | 第86-93页 |
| 6.1.1 加入不同量尿素对结构的影响 | 第86-88页 |
| 6.1.2 加入不同量尿素对形貌的影响 | 第88-89页 |
| 6.1.3 加入不同量尿素对成分的影响 | 第89-90页 |
| 6.1.4 加入不同量尿素的Raman表征 | 第90-93页 |
| 6.2 (010)织构晶面的SnS薄膜的热电性能 | 第93页 |
| 6.3 本章小结 | 第93-94页 |
| 第七章 结论 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-102页 |
| 致谢 | 第102-104页 |
| 作者及导师介绍 | 第104-106页 |
| 附件 | 第106-107页 |
