致谢 | 第5-6页 |
摘要 | 第6-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
1 绪论 | 第12-24页 |
1.1 课题的背景和意义 | 第12-14页 |
1.2 Z源/Quasi-Z源矩阵变换器综述 | 第14-18页 |
1.2.1 直接矩阵变换器 | 第14-15页 |
1.2.2 间接矩阵变换器 | 第15-16页 |
1.2.3 Z源/Quasi-Z源变换器 | 第16页 |
1.2.4 Z源/Quasi-Z源间接矩阵变换器 | 第16-18页 |
1.3 SiC件综述 | 第18-22页 |
1.3.1 SiC材料的特性 | 第19-21页 |
1.3.2 SiC器件的应用现状 | 第21页 |
1.3.3 SiC器件的发展前景 | 第21-22页 |
1.4 本文研究的主要内容 | 第22-24页 |
2 基于SiC开关器件的Quasi-Z源间接矩阵变换器 | 第24-42页 |
2.1 Quasi-Z源矩阵变换器基本原理 | 第24-27页 |
2.2 Quasi-Z源矩阵变换器调制策略 | 第27-33页 |
2.2.1 整流级空间矢量调制策略 | 第27-30页 |
2.2.2 逆变级空间矢量调制策略 | 第30-32页 |
2.2.3 仿真分析 | 第32-33页 |
2.3 调制度对损耗和谐波的影响分析 | 第33-37页 |
2.3.1 调制度对损耗的影响 | 第33-34页 |
2.3.2 调制度对谐波的影响 | 第34-37页 |
2.4 开关频率对电感电容参数的影响分析 | 第37-41页 |
2.4.1 电容参数的设计 | 第37-39页 |
2.4.2 电感参数的设计 | 第39-41页 |
2.5 本章小结 | 第41-42页 |
3 基于三种开关器件的Quasi-Z源间接矩阵变换器对比分析 | 第42-70页 |
3.1 Quasi-Z源矩阵变换器开关器件设计基础 | 第42-46页 |
3.1.1 开关器件的选择 | 第42-45页 |
3.1.2 二极管的选取 | 第45-46页 |
3.2 基于Si-IGBT、混合SiC-IGBT和SiC-MOSFET的QZS-IMC电感电容参数对比 | 第46-55页 |
3.2.1 电容参数对比 | 第46-48页 |
3.2.2 电容的损耗对比 | 第48-49页 |
3.2.3 电感参数对比 | 第49-53页 |
3.2.4 电感损耗对比 | 第53-55页 |
3.3 基于Si-IGBT、混合SiC-IGBT和SiC-MOSFET的QZS-IMC系统开关器件的损耗对比 | 第55-66页 |
3.3.1 开关器件损耗计算基础 | 第55-57页 |
3.3.2 基于Si-IGBT的QZS-IMC系统开关器件损耗计算 | 第57-61页 |
3.3.3 基于混合SiC-IGBT的QZS-IMC系统开关器件损耗计算 | 第61-63页 |
3.3.4 基于SiC-MOSFET的QZS-IMC系统开关器件损耗计算 | 第63-65页 |
3.3.5 基于三种开关器件的QZS-IMC系统开关器件损耗对比分析 | 第65-66页 |
3.4 基于Si-IGBT、混合SiC-IGBT和SiC-MOSFET的QZS-IMC系统的整体损耗对比 | 第66-67页 |
3.5 本章小结 | 第67-70页 |
4 基于SiC开关器件的QZS-IMC在感应电机驱动系统中的应用 | 第70-82页 |
4.1 基于SiC开关器件的QZS-IMC在电机调速系统中的应用 | 第70-74页 |
4.1.1 间接磁场定向控制 | 第70-71页 |
4.1.2 仿真分析 | 第71-74页 |
4.2 基于QZS-IMC电机调速系统的优化D控制研究 | 第74-81页 |
4.2.1 基于QZS-IMC的感应电机V/F控制 | 第74页 |
4.2.2 QZS-IMC升压特性 | 第74-76页 |
4.2.3 V/F控制参数设计 | 第76-77页 |
4.2.4 V/F仿真分析 | 第77-81页 |
4.3 本章小结 | 第81-82页 |
5 基于SiC-MOSFET的Quasi-Z源间接矩阵变换器样机设计 | 第82-88页 |
5.1 基于SiC-MOSFET的Quasi-Z源间接矩阵变换器系统硬件设计 | 第82-84页 |
5.2 基于SiC-MOSFET的Quasi-Z源间接矩阵变换器系统软件设计 | 第84-86页 |
5.3 本章小结 | 第86-88页 |
6 总结 | 第88-90页 |
参考文献 | 第90-92页 |
附录A | 第92-96页 |
作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第96-100页 |
学位论文数据集 | 第100页 |