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基于SiC开关器件的Quasi-Z源间接矩阵变换器

致谢第5-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
1 绪论第12-24页
    1.1 课题的背景和意义第12-14页
    1.2 Z源/Quasi-Z源矩阵变换器综述第14-18页
        1.2.1 直接矩阵变换器第14-15页
        1.2.2 间接矩阵变换器第15-16页
        1.2.3 Z源/Quasi-Z源变换器第16页
        1.2.4 Z源/Quasi-Z源间接矩阵变换器第16-18页
    1.3 SiC件综述第18-22页
        1.3.1 SiC材料的特性第19-21页
        1.3.2 SiC器件的应用现状第21页
        1.3.3 SiC器件的发展前景第21-22页
    1.4 本文研究的主要内容第22-24页
2 基于SiC开关器件的Quasi-Z源间接矩阵变换器第24-42页
    2.1 Quasi-Z源矩阵变换器基本原理第24-27页
    2.2 Quasi-Z源矩阵变换器调制策略第27-33页
        2.2.1 整流级空间矢量调制策略第27-30页
        2.2.2 逆变级空间矢量调制策略第30-32页
        2.2.3 仿真分析第32-33页
    2.3 调制度对损耗和谐波的影响分析第33-37页
        2.3.1 调制度对损耗的影响第33-34页
        2.3.2 调制度对谐波的影响第34-37页
    2.4 开关频率对电感电容参数的影响分析第37-41页
        2.4.1 电容参数的设计第37-39页
        2.4.2 电感参数的设计第39-41页
    2.5 本章小结第41-42页
3 基于三种开关器件的Quasi-Z源间接矩阵变换器对比分析第42-70页
    3.1 Quasi-Z源矩阵变换器开关器件设计基础第42-46页
        3.1.1 开关器件的选择第42-45页
        3.1.2 二极管的选取第45-46页
    3.2 基于Si-IGBT、混合SiC-IGBT和SiC-MOSFET的QZS-IMC电感电容参数对比第46-55页
        3.2.1 电容参数对比第46-48页
        3.2.2 电容的损耗对比第48-49页
        3.2.3 电感参数对比第49-53页
        3.2.4 电感损耗对比第53-55页
    3.3 基于Si-IGBT、混合SiC-IGBT和SiC-MOSFET的QZS-IMC系统开关器件的损耗对比第55-66页
        3.3.1 开关器件损耗计算基础第55-57页
        3.3.2 基于Si-IGBT的QZS-IMC系统开关器件损耗计算第57-61页
        3.3.3 基于混合SiC-IGBT的QZS-IMC系统开关器件损耗计算第61-63页
        3.3.4 基于SiC-MOSFET的QZS-IMC系统开关器件损耗计算第63-65页
        3.3.5 基于三种开关器件的QZS-IMC系统开关器件损耗对比分析第65-66页
    3.4 基于Si-IGBT、混合SiC-IGBT和SiC-MOSFET的QZS-IMC系统的整体损耗对比第66-67页
    3.5 本章小结第67-70页
4 基于SiC开关器件的QZS-IMC在感应电机驱动系统中的应用第70-82页
    4.1 基于SiC开关器件的QZS-IMC在电机调速系统中的应用第70-74页
        4.1.1 间接磁场定向控制第70-71页
        4.1.2 仿真分析第71-74页
    4.2 基于QZS-IMC电机调速系统的优化D控制研究第74-81页
        4.2.1 基于QZS-IMC的感应电机V/F控制第74页
        4.2.2 QZS-IMC升压特性第74-76页
        4.2.3 V/F控制参数设计第76-77页
        4.2.4 V/F仿真分析第77-81页
    4.3 本章小结第81-82页
5 基于SiC-MOSFET的Quasi-Z源间接矩阵变换器样机设计第82-88页
    5.1 基于SiC-MOSFET的Quasi-Z源间接矩阵变换器系统硬件设计第82-84页
    5.2 基于SiC-MOSFET的Quasi-Z源间接矩阵变换器系统软件设计第84-86页
    5.3 本章小结第86-88页
6 总结第88-90页
参考文献第90-92页
附录A第92-96页
作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果第96-100页
学位论文数据集第100页

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