| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第12-19页 |
| 1.1.1 非易失存储器的发展 | 第12-14页 |
| 1.1.2 空间辐射环境 | 第14-15页 |
| 1.1.3 空间辐射效应 | 第15-18页 |
| 1.1.4 抗辐射存储器在空间环境中的应用需求 | 第18-19页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第19-21页 |
| 1.2.1 研究现状 | 第19-20页 |
| 1.2.2 发展趋势 | 第20-21页 |
| 1.3 论文内容及结构 | 第21-22页 |
| 2 阻变存储器工作机理 | 第22-38页 |
| 2.1 阻变存储器概述 | 第22-24页 |
| 2.2 阻变存储器常用阻变材料 | 第24-27页 |
| 2.2.1 无机材料 | 第24-26页 |
| 2.2.2 有机材料 | 第26-27页 |
| 2.3 导电细丝主导的电阻转变机制 | 第27-31页 |
| 2.3.1 ECM机制 | 第28-29页 |
| 2.3.2 VCM机制 | 第29-31页 |
| 2.3.3 TCM机制 | 第31页 |
| 2.4 阻变存储器性能指标 | 第31-34页 |
| 2.4.1 存储窗口与多值存储 | 第32-33页 |
| 2.4.2 操作电压和开关速度 | 第33页 |
| 2.4.3 耐受性 | 第33-34页 |
| 2.4.4 数据保持特性 | 第34页 |
| 2.4.5 可缩小性 | 第34页 |
| 2.5 阻变存储器集成 | 第34-37页 |
| 2.5.1 有源阵列结构 | 第34-35页 |
| 2.5.2 无源阵列结构 | 第35-37页 |
| 2.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 3 阻变存储器的总剂量效应 | 第38-60页 |
| 3.1 总剂量效应实验方法 | 第38-41页 |
| 3.1.1 地面模拟总剂量辐射源 | 第38-39页 |
| 3.1.2 测试流程及方法 | 第39-41页 |
| 3.2 1Mb RRAM芯片介绍 | 第41-44页 |
| 3.3 阻变存储器辐射效应测试系统 | 第44-46页 |
| 3.4 阻变存储器的~(60)Co伽马射线辐射效应研究 | 第46-58页 |
| 3.4.1 实验环境及实验方案 | 第46-47页 |
| 3.4.2 实验结果 | 第47-50页 |
| 3.4.3 实验结果分析及仿真验证 | 第50-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 4 阻变存储器的单粒子效应 | 第60-72页 |
| 4.1 单粒子效应实验方法 | 第60-61页 |
| 4.1.1 单粒子效应地面模拟辐射源 | 第60-61页 |
| 4.1.2 单粒子效应测试方法 | 第61页 |
| 4.2 1Mb RRAM激光模拟单粒子效应 | 第61-70页 |
| 4.2.1 实验环境及实验方案 | 第61-65页 |
| 4.2.2 实验结果与讨论 | 第65-70页 |
| 4.3 1Mb RRAM重离子实验 | 第70-71页 |
| 4.3.1 实验环境及实验方案 | 第70-71页 |
| 4.3.2 实验结果及讨论 | 第71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 5 阻变存储器抗辐射加固技术 | 第72-82页 |
| 5.1 抗辐射加固技术概述 | 第72-73页 |
| 5.2 抗总剂量效应加固方法 | 第73-75页 |
| 5.2.1 工艺加固 | 第73-74页 |
| 5.2.2 设计加固 | 第74-75页 |
| 5.3 抗单粒子效应加固方法 | 第75-79页 |
| 5.3.1 抗SEU技术 | 第75-77页 |
| 5.3.2 抗SEL技术 | 第77-79页 |
| 5.4 1Mb RRAM抗辐射加固方案 | 第79-81页 |
| 5.5 本章小结 | 第81-82页 |
| 6 总结与展望 | 第82-84页 |
| 6.1 全文总结 | 第82-83页 |
| 6.2 展望 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 作者简历及攻读硕士/博士学位期间取得的研究成果 | 第88-92页 |
| 学位论文数据集 | 第92页 |