| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 引言 | 第10-17页 |
| ·绪论 | 第10-11页 |
| ·一维半导体纳米材料的研究现状 | 第11-13页 |
| ·硅(Si)纳米材料简介 | 第11-12页 |
| ·氧化锌(ZnO)纳米材料简介 | 第12-13页 |
| ·一维半导体纳米材料的制备方法 | 第13-14页 |
| ·固相法 | 第13-14页 |
| ·气相法 | 第14页 |
| ·液相法 | 第14页 |
| ·一维半导体纳米材料的应用 | 第14-16页 |
| ·本论文研究的目的和内容 | 第16-17页 |
| 2 硅纳米线阵列的制备与刻蚀机理研究 | 第17-27页 |
| ·前言 | 第17-18页 |
| ·实验方案 | 第18-19页 |
| ·硅片预处理 | 第18页 |
| ·溶液法制备硅纳米线(SiNWs) | 第18-19页 |
| ·样品表征与结果分析 | 第19-26页 |
| ·不同掺杂类型和不同晶向对刻蚀硅纳米线的影响 | 第19-21页 |
| ·掺杂浓度对刻蚀硅纳米线的影响 | 第21-22页 |
| ·氢氟酸浓度对刻蚀硅纳米线的影响 | 第22-23页 |
| ·硝酸银浓度对刻蚀硅纳米线的影响 | 第23-24页 |
| ·刻蚀温度对刻蚀硅纳米线的影响 | 第24-25页 |
| ·刻蚀时间对刻蚀硅纳米线的影响 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 3 氧化锌纳米线阵列的制备与生长机理研究 | 第27-34页 |
| ·前言 | 第27-28页 |
| ·实验方案 | 第28-29页 |
| ·基底预处理 | 第28页 |
| ·磁控溅射法沉积氧化锌晶种层 | 第28页 |
| ·溶液法制备氧化锌纳米线(ZnONWs) | 第28-29页 |
| ·样品表征与结果分析 | 第29-33页 |
| ·晶种层厚度对制备氧化锌纳米线的影响 | 第29-30页 |
| ·反应溶液浓度对制备氧化锌纳米线的影响 | 第30-31页 |
| ·反应时间对制备氧化锌纳米线的影响 | 第31-32页 |
| ·反应温度对制备氧化锌纳米线的影响 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 4 硅纳米线-氧化锌异质结阵列湿敏特性研究 | 第34-45页 |
| ·传感器简介 | 第34-35页 |
| ·实验方案 | 第35-36页 |
| ·基底预处理 | 第35页 |
| ·溶液法制备硅纳米线(SiNWs) | 第35页 |
| ·磁控溅射法沉积氧化锌(ZnO) | 第35页 |
| ·组装硅纳米线-氧化锌湿敏元件(SiNWs-ZnO) | 第35-36页 |
| ·样品表征与结果分析 | 第36-44页 |
| ·SiNWs-ZnO异质结阵列表面形貌分析 | 第36-38页 |
| ·SiNWs-ZnO异质结阵列物相成分分析 | 第38-39页 |
| ·SiNWs-ZnO异质结阵湿敏特性分析 | 第39-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 5 结论与展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第51页 |