GaN/AlGaN量子阱红外探测器的电极制备优化研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·Ⅲ-氮化物材料特性 | 第8-10页 |
| ·物理化学性质 | 第8-9页 |
| ·晶体结构与极化 | 第9-10页 |
| ·Ⅲ族氮化物红外探测器的研究进展 | 第10-12页 |
| ·AlGaN/GaN探测器的优势 | 第12页 |
| ·探测器存在的问题 | 第12页 |
| ·本论文研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 双色探测器原理及结构设计 | 第13-22页 |
| ·紫外-中红外双色探测器结构设计 | 第13-15页 |
| ·探测器工作方式 | 第15-19页 |
| ·探测器性能参数 | 第19-20页 |
| ·量子效率 | 第19页 |
| ·响应度 | 第19-20页 |
| ·噪声等效功率 | 第20页 |
| ·探测率 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-22页 |
| 第三章 欧姆接触 | 第22-39页 |
| ·AlGaN/GaN欧姆接触的基本原理 | 第22-29页 |
| ·各层金属在欧姆接触中所起的作用 | 第22-23页 |
| ·比接触电阻率和传输线模型 | 第23-29页 |
| ·制备欧姆接触实验 | 第29-30页 |
| ·芯片表面处理 | 第29-30页 |
| ·掩膜制备 | 第30页 |
| ·传输线模型金属电极制备 | 第30-38页 |
| ·实验方法 | 第30-31页 |
| ·实验结果 | 第31-33页 |
| ·退火条件对比接触电阻率的影响 | 第33-36页 |
| ·退火条件对合金表面形貌的影响 | 第36-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第四章 光栅的设计与优化 | 第39-53页 |
| ·金属表面等离子体光栅耦合 | 第39-45页 |
| ·表面等离子体激元增强量子阱红外光吸收原理 | 第39-40页 |
| ·表面等离子体光栅设计与模拟计算 | 第40-43页 |
| ·光栅设计的实验验证 | 第43-45页 |
| ·三维金属光栅 | 第45-47页 |
| ·三维金属光栅的理论基础 | 第45-46页 |
| ·三维金属光栅的工艺制备 | 第46-47页 |
| ·光栅耦合的GaN/AlGaN量子阱红外探测器 | 第47-52页 |
| ·版图设计 | 第47-48页 |
| ·工艺流程 | 第48-50页 |
| ·光谱测试 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
