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碳化硅纳米线薄膜的制备及其性能研究

摘要第1-7页
Abstract第7-14页
第一章 绪论第14-22页
   ·引言第14页
   ·SiC 的晶体结构和性质第14-15页
     ·SiC 的晶体结构第14-15页
     ·SiC 的性质第15页
   ·一维 SiC 纳米线的制备及性能第15-20页
     ·一维 SiC 纳米线的制备第15-17页
       ·碳热还原法第15-16页
       ·模板生长法第16页
       ·电弧放电法第16页
       ·化学气相沉积法第16-17页
       ·激光烧蚀法第17页
     ·一维 SiC 纳米线的性能第17-20页
       ·电学性能第17-18页
       ·场发射性能第18页
       ·发光性能第18-19页
       ·光催化性能第19-20页
       ·机械性能第20页
   ·SiC 纳米线薄膜的研究进展第20-21页
   ·课题研究意义、目的与内容第21-22页
     ·课题研究的意义与目的第21页
     ·课题研究内容第21-22页
第二章 实验方法与过程第22-28页
   ·实验原料第22页
   ·实验设备第22-23页
   ·实验方法第23页
   ·测试方法第23-28页
     ·形貌及结构分析第23-24页
       ·X 射线衍射分析(XRD)第23-24页
       ·场发射扫描电子显微镜(FESEM)第24页
       ·透射电子显微镜(TEM)第24页
     ·光学性能测试第24-26页
       ·傅里叶变换红外光谱(FI-IR)第24-25页
       ·拉曼光谱(Raman)第25页
       ·光致发光光谱(PL)第25-26页
     ·电化学、光电性能测试第26-27页
       ·循环伏安测试(CV)第26页
       ·恒流充放电测试第26-27页
     ·紫外可见分光光度测试第27-28页
第三章 石墨纸基 SiC 纳米线薄膜的制备及其性能研究第28-52页
   ·引言第28页
   ·制备工艺与表征第28-29页
     ·实验过程第28-29页
     ·试样表征第29页
   ·石墨纸基底 SiC 纳米线薄膜的形貌及结构分析第29-32页
     ·X 射线衍射分析第29-30页
     ·场发射扫描电镜形貌分析第30-31页
     ·透射电镜分析第31-32页
   ·反应条件对产物的影响第32-35页
     ·温度对产物的影响第32-33页
     ·保温时间对产物的影响第33-34页
     ·原料比例对产物的影响第34-35页
   ·石墨纸基 SiC 纳米线薄膜的生长机理分析第35-36页
   ·石墨纸基 SiC 纳米线薄膜电化学性能表征第36-39页
     ·电化学测量体系第36-37页
     ·循环伏安测试分析第37-38页
     ·恒流充放电测试分析第38-39页
   ·石墨纸基 SiC 纳米线薄膜光电分解水性能研究第39-50页
     ·光电催化过程及原理分析第40-42页
     ·光电催化前后薄膜结构及性能分析第42-45页
     ·电解液的影响第45-47页
     ·不同基底材料的影响第47-48页
     ·表面负载 Pt 粒子的影响第48-50页
   ·本章小结第50-52页
第四章 氧化铝基 SiC 纳米线薄膜的制备及其性能研究第52-67页
   ·引言第52页
   ·制备工艺与表征第52-53页
     ·实验过程第52-53页
     ·试样表征第53页
   ·氧化铝基 SiC 纳米线薄膜的形貌及结构分析第53-56页
     ·X 射线衍射分析第53-54页
     ·场发射扫描电镜形貌分析第54-55页
     ·透射电镜分析第55-56页
   ·反应条件对产物的影响第56-59页
     ·温度对产物的影响第56-57页
     ·保温时间对产物的影响第57-58页
     ·原料比例对产物的影响第58-59页
   ·氧化铝基 SiC 纳米线薄膜的生长机理分析第59-61页
   ·SiC 纳米线薄膜光学表征第61-63页
     ·红外光谱分析第61页
     ·拉曼光谱分析第61-62页
     ·光致发光性能分析第62-63页
   ·氧化铝基 SiC 纳米线薄膜催化降解性能研究第63-66页
   ·本章小结第66-67页
第五章 结论与展望第67-69页
参考文献第69-77页
硕士期间学术成果第77-78页
致谢第78页

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