摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-14页 |
第一章 绪论 | 第14-22页 |
·引言 | 第14页 |
·SiC 的晶体结构和性质 | 第14-15页 |
·SiC 的晶体结构 | 第14-15页 |
·SiC 的性质 | 第15页 |
·一维 SiC 纳米线的制备及性能 | 第15-20页 |
·一维 SiC 纳米线的制备 | 第15-17页 |
·碳热还原法 | 第15-16页 |
·模板生长法 | 第16页 |
·电弧放电法 | 第16页 |
·化学气相沉积法 | 第16-17页 |
·激光烧蚀法 | 第17页 |
·一维 SiC 纳米线的性能 | 第17-20页 |
·电学性能 | 第17-18页 |
·场发射性能 | 第18页 |
·发光性能 | 第18-19页 |
·光催化性能 | 第19-20页 |
·机械性能 | 第20页 |
·SiC 纳米线薄膜的研究进展 | 第20-21页 |
·课题研究意义、目的与内容 | 第21-22页 |
·课题研究的意义与目的 | 第21页 |
·课题研究内容 | 第21-22页 |
第二章 实验方法与过程 | 第22-28页 |
·实验原料 | 第22页 |
·实验设备 | 第22-23页 |
·实验方法 | 第23页 |
·测试方法 | 第23-28页 |
·形貌及结构分析 | 第23-24页 |
·X 射线衍射分析(XRD) | 第23-24页 |
·场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第24页 |
·透射电子显微镜(TEM) | 第24页 |
·光学性能测试 | 第24-26页 |
·傅里叶变换红外光谱(FI-IR) | 第24-25页 |
·拉曼光谱(Raman) | 第25页 |
·光致发光光谱(PL) | 第25-26页 |
·电化学、光电性能测试 | 第26-27页 |
·循环伏安测试(CV) | 第26页 |
·恒流充放电测试 | 第26-27页 |
·紫外可见分光光度测试 | 第27-28页 |
第三章 石墨纸基 SiC 纳米线薄膜的制备及其性能研究 | 第28-52页 |
·引言 | 第28页 |
·制备工艺与表征 | 第28-29页 |
·实验过程 | 第28-29页 |
·试样表征 | 第29页 |
·石墨纸基底 SiC 纳米线薄膜的形貌及结构分析 | 第29-32页 |
·X 射线衍射分析 | 第29-30页 |
·场发射扫描电镜形貌分析 | 第30-31页 |
·透射电镜分析 | 第31-32页 |
·反应条件对产物的影响 | 第32-35页 |
·温度对产物的影响 | 第32-33页 |
·保温时间对产物的影响 | 第33-34页 |
·原料比例对产物的影响 | 第34-35页 |
·石墨纸基 SiC 纳米线薄膜的生长机理分析 | 第35-36页 |
·石墨纸基 SiC 纳米线薄膜电化学性能表征 | 第36-39页 |
·电化学测量体系 | 第36-37页 |
·循环伏安测试分析 | 第37-38页 |
·恒流充放电测试分析 | 第38-39页 |
·石墨纸基 SiC 纳米线薄膜光电分解水性能研究 | 第39-50页 |
·光电催化过程及原理分析 | 第40-42页 |
·光电催化前后薄膜结构及性能分析 | 第42-45页 |
·电解液的影响 | 第45-47页 |
·不同基底材料的影响 | 第47-48页 |
·表面负载 Pt 粒子的影响 | 第48-50页 |
·本章小结 | 第50-52页 |
第四章 氧化铝基 SiC 纳米线薄膜的制备及其性能研究 | 第52-67页 |
·引言 | 第52页 |
·制备工艺与表征 | 第52-53页 |
·实验过程 | 第52-53页 |
·试样表征 | 第53页 |
·氧化铝基 SiC 纳米线薄膜的形貌及结构分析 | 第53-56页 |
·X 射线衍射分析 | 第53-54页 |
·场发射扫描电镜形貌分析 | 第54-55页 |
·透射电镜分析 | 第55-56页 |
·反应条件对产物的影响 | 第56-59页 |
·温度对产物的影响 | 第56-57页 |
·保温时间对产物的影响 | 第57-58页 |
·原料比例对产物的影响 | 第58-59页 |
·氧化铝基 SiC 纳米线薄膜的生长机理分析 | 第59-61页 |
·SiC 纳米线薄膜光学表征 | 第61-63页 |
·红外光谱分析 | 第61页 |
·拉曼光谱分析 | 第61-62页 |
·光致发光性能分析 | 第62-63页 |
·氧化铝基 SiC 纳米线薄膜催化降解性能研究 | 第63-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
第五章 结论与展望 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-77页 |
硕士期间学术成果 | 第77-78页 |
致谢 | 第78页 |