| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·CIS/CIGS薄膜太阳电池概述 | 第10-11页 |
| ·CIS/CIGS薄膜太阳电池发展历史 | 第10页 |
| ·CIS/CIGS薄膜太阳电池结构 | 第10-11页 |
| ·CIS/CIGS薄膜材料基础理论 | 第11-16页 |
| ·CIS晶体结构 | 第11-12页 |
| ·缺陷化学 | 第12-14页 |
| ·Ga和S的影响 | 第14-16页 |
| ·CIS/CIGS薄膜制备方法 | 第16-19页 |
| ·蒸发法(Co-evaporation) | 第16页 |
| ·溅射法(Sputtering) | 第16-17页 |
| ·丝网印刷(Screen printing) | 第17页 |
| ·喷涂热解(Spray pyrolysis) | 第17页 |
| ·电沉积法(Electro-deposition) | 第17-19页 |
| ·CIS/CIGS薄膜热处理研究状况 | 第19-26页 |
| ·普通热处理 | 第20-21页 |
| ·硫化热处理 | 第21-26页 |
| ·本论文研究内容和研究方案 | 第26-27页 |
| 第二章 薄膜表征方法 | 第27-32页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·薄膜表征方法简介 | 第27-32页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第27页 |
| ·掠入射X射线衍射分析(GIXRD) | 第27-28页 |
| ·扫描电镜分析(SEM)及能谱分析(EDS) | 第28页 |
| ·俄歇电子能谱分析(AES) | 第28-29页 |
| ·拉曼光谱分析(RS) | 第29-30页 |
| ·紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR) | 第30-31页 |
| ·台阶仪 | 第31-32页 |
| 第三章 电沉积Cu(In,Ga)Se_2薄膜快速热处理工艺研究 | 第32-47页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·快速热处理炉及实验过程 | 第32-34页 |
| ·实验结果及讨论 | 第34-46页 |
| ·快速热处理温度对薄膜组分、形貌、结构的影响 | 第34-38页 |
| ·升温速率对薄膜组分、形貌、结构的影响 | 第38-43页 |
| ·RTA保温时间对薄膜组分、形貌、结构的影响 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 H_2S/Ar气氛热处理制备CuIn(S,Se)_2/Cu(In,Ga)(S,Se)_2薄膜 | 第47-80页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·硫化热处理设备及过程 | 第48-49页 |
| ·四元CuIn(S,Se)_2薄膜的制备与表征 | 第49-70页 |
| ·温度对CuInSe_2薄膜H_2S气氛热处理的影响 | 第49-60页 |
| ·预制层组分对CuInSe_2薄膜H_2S气氛硫化热处理的影响 | 第60-70页 |
| ·五元Cu(In,Ga)(S,Se)_2薄膜的制备与表征 | 第70-79页 |
| ·温度对Cu(In_(0.75)Ga_(0.25)Se_2薄膜H_2S气氛热处理的影响 | 第70-76页 |
| ·预制层组分对Cu(In,Ga)Se2薄膜H_2S气氛热处理的影响 | 第76-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 蒸发固态硫及RTA处理制备CuIn(S,Se)_2/Cu(In,Ga)(S,Se)_2薄膜 | 第80-95页 |
| ·引言 | 第80页 |
| ·实验设备及实验过程 | 第80-81页 |
| ·实验结果及讨论 | 第81-94页 |
| ·四元CuIn(S,Se)_2薄膜制备与表征 | 第81-88页 |
| ·五元Cu(In,Ga)(S,Se)_2薄膜制备与表征 | 第88-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 结论与展望 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-108页 |
| 附录 | 第108-109页 |
| 一步电沉积制备CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2预置层薄膜实验简介 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 攻读硕士学位期间主要研究成果 | 第110页 |
