通信用高速光电探测器芯片的研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-8页
第1章 绪论	第8-13页
·光电探测器的应用选择	第8-10页
·国内外高速光电探测器芯片的发展现状及趋势	第10-13页
第2章 光电探测器	第13-24页
·光电探测器的分类	第13-15页
·PIN 光电探测器	第15-18页
·PIN 光电探测器的结构	第15-16页
·PIN 结的导电性	第16-18页
·光电探测器的特性参数	第18-24页
·响应度	第19页
·结电容	第19-21页
·击穿电压和暗电流	第21-23页
·响应速度	第23-24页
第3章 光电探测器的制造工艺	第24-45页
·掺杂技术	第24-27页
·扩散掺杂	第24-25页
·离子注入	第25-27页
·外延掺杂	第27页
·光刻	第27-33页
·光刻的概念	第27-28页
·光刻胶	第28-30页
·光刻的工艺流程	第30-33页
·刻蚀	第33-38页
·湿法腐蚀	第34-36页
·干法刻蚀	第36-38页
·BCB 沟道填充	第38-40页
·PECVD	第40-42页
·磁控溅射	第42-45页
第4章 工艺设计	第45-49页
第5章 实验与测试	第49-55页
·芯片的制作	第49-51页
·芯片的测试	第51-55页
第6章 总结与展望	第55-56页
参考文献	第56-58页
致谢	第58-59页
附录1 攻读硕士学位期间发表的论文	第59-60页
附录2 主要英文缩写语对照表	第60页