| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·多孔硅的研究历史 | 第10-11页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第11-15页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第15-19页 |
| ·多孔硅的微结构 | 第19-20页 |
| ·多孔硅的应用 | 第20-27页 |
| ·本论文研究目的及主要内容 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第二章 纳米多孔硅的电化学制备及分析方法 | 第30-36页 |
| ·实验方法及依据 | 第30-31页 |
| ·分析方法 | 第31-33页 |
| ·实验装置 | 第33-34页 |
| ·实验样品及试剂 | 第34页 |
| ·实验步骤 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 腐蚀条件对多孔硅性质的影响 | 第36-51页 |
| ·腐蚀电流密度、腐蚀时间、硅片电阻率对多孔硅孔隙率的影响 | 第36-40页 |
| ·多孔硅折射率与其孔隙率的关系 | 第40-43页 |
| ·腐蚀电流密度、腐蚀时间对多孔硅的微观形貌的影响 | 第43-46页 |
| ·腐蚀电流密度、腐蚀时间、硅片电阻率对多孔硅厚度的影响 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 多孔硅电学特性研究 | 第51-58页 |
| ·金属半导体接触原理 | 第51页 |
| ·金属和半导体的电接触类型 | 第51-55页 |
| ·多孔硅Ⅰ-Ⅴ特性研究 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 在读期间发表的论文 | 第65页 |