| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| ·前言 | 第10页 |
| ·吸波材料概述 | 第10-18页 |
| ·吸波材料简介 | 第10-11页 |
| ·吸波材料的吸波理论 | 第11-13页 |
| ·高温吸波材料的研究现状 | 第13-18页 |
| ·选题依据和研究内容 | 第18-20页 |
| ·选题依据 | 第18-19页 |
| ·研究的主要内容 | 第19-20页 |
| 第2章 实验研究方法 | 第20-28页 |
| ·原材料与化学药品 | 第20页 |
| ·仪器与设备 | 第20-21页 |
| ·试样制备方法 | 第21-22页 |
| ·溶胶凝胶法制备C/SiO_2/SiC复合体的工艺原理 | 第21页 |
| ·SiC掺杂C/C复合体的制备工艺 | 第21-22页 |
| ·组成、结构与性能分析方法 | 第22-28页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第22-23页 |
| ·扫描电镜(SEM)形貌观察 | 第23页 |
| ·材料的组分测定 | 第23页 |
| ·粉末电导率的测定 | 第23-24页 |
| ·电磁参数的测定 | 第24-26页 |
| ·涂层频率—反射损耗曲线的测定 | 第26-28页 |
| 第3章 溶胶凝胶法制备C/SiO_2/SiC复合粉体及其吸波性能 | 第28-44页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·原料配比对C/SiO_2/SiC复合粉体结构和吸波性能的影响 | 第28-33页 |
| ·原料配比对C/SiO_2/SiC复合粉体晶体结构的影响 | 第28-30页 |
| ·原料配比对C/SiO_2/SiC复合粉体吸波性能的影响 | 第30-33页 |
| ·反应温度对C/SiO_2/SiC复合粉体结构和性能的影响 | 第33-38页 |
| ·反应温度对C/SiO_2/SiC复合粉体晶体结构的影响 | 第33-34页 |
| ·反应温度对C/SiO_2/SiC复合粉体吸波性能的影响 | 第34-38页 |
| ·保温时间对C/SiO_2/SiC复合粉体结构和性能的影响 | 第38-42页 |
| ·保温时间对C/SiO_2/SiC复合粉体晶体结构的影响 | 第38-39页 |
| ·保温时间对C/SiO_/SiC复合粉体吸波性能的影响 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 铁催化溶胶凝胶法制备C/SiC_w复合粉体及其吸波性能研究 | 第44-62页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·反应温度对C/SiC_w复合粉体结构和性能的影响 | 第44-49页 |
| ·反应温度对C/SiC_w复合粉体的晶体结构的影响 | 第44-46页 |
| ·反应温度对C/SiC_w复合粉体的吸波性能的影响 | 第46-49页 |
| ·保温时间对C/SiC_w复合粉体结构和性能的影响 | 第49-54页 |
| ·保温时间对C/SiC_w复合粉体晶体结构的影响 | 第49-50页 |
| ·保温时间对C/SiC_w复合粉体吸波性能的影响 | 第50-54页 |
| ·铁催化剂用量对C/SiC_w复合粉体结构和性能的影响 | 第54-58页 |
| ·铁催化剂用量对C/SiC_w复合粉体晶体结构的影响 | 第54-55页 |
| ·铁催化剂用量对C/SiC_w复合粉体吸波性能的影响 | 第55-58页 |
| ·铁盐催化剂对制备C/SiC_w复合粉体的催化作用及催化机理 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 SiC掺杂C/C复合材料的制备及其吸波性能 | 第62-68页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·预制体密度对制备SiC掺杂C/C复合材料的结构与性能的影响 | 第62-64页 |
| ·不同密度预制体制备SiC掺杂C/C复合材料的结构 | 第62-63页 |
| ·不同密度预制体制备的SiC掺杂C/C复合材料的吸波性能 | 第63-64页 |
| ·原料配比对制备SiC掺杂C/C复合材料的结构与性能的影响 | 第64-66页 |
| ·TEOS用量对制备SiC掺杂C/C复合材料结构的影响 | 第64-65页 |
| ·不同原料配比制备SiC掺杂C/C复合材料的吸波性能 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 附录A (攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第75-76页 |
| 附录B (攻读学位期间参与的科研课题) | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
