| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 目录 | 第10-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-39页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·能源现状 | 第15-16页 |
| ·太阳能电池 | 第16-18页 |
| ·太阳能电池发展现状 | 第17-18页 |
| ·国内外多晶硅生产现状 | 第18-21页 |
| ·国外多晶硅生产现状 | 第18-19页 |
| ·国内多晶硅生产现状 | 第19-21页 |
| ·太阳能级多晶硅的主要生产工艺 | 第21-36页 |
| ·挥发性硅化合物的还原或热分解法 | 第21-28页 |
| ·冶金法 | 第28-33页 |
| ·二氧化硅碳热还原法 | 第33-36页 |
| ·本课题研究的意义、目的及创新点 | 第36-39页 |
| ·研究的意义 | 第36-37页 |
| ·研究的目的 | 第37-38页 |
| ·研究的创新性 | 第38-39页 |
| 第二章 TCS合成过程热力学分析 | 第39-51页 |
| ·TCS合成过程研究概况 | 第39页 |
| ·TCS合成过程中热力学特点 | 第39-42页 |
| ·计算结果与讨论 | 第42-49页 |
| ·含硅化合物选择率 | 第42-47页 |
| ·操作条件对TCS选择率的影响 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 西门子法硅沉积过程热力学 | 第51-81页 |
| ·Si-H-Cl三元系热力学研究概况 | 第51页 |
| ·Si-H-Cl三元系热力学 | 第51-57页 |
| ·Si-H-Cl三元系体系特点 | 第51-54页 |
| ·Si-H-Cl三元系热力学计算方法 | 第54-55页 |
| ·Si-H-Cl三元系计算结果 | 第55-57页 |
| ·以TCS为原材料的硅沉积热力学 | 第57-67页 |
| ·平衡气相组分 | 第57-61页 |
| ·影响硅沉积率的因素分析 | 第61-67页 |
| ·以STC为原料的硅沉积热力学 | 第67-70页 |
| ·温度对硅沉积率的影响 | 第67-68页 |
| ·Cl/H比对硅沉积率的影响 | 第68-70页 |
| ·以STC和TCS混合物为原材料的硅沉积热力学 | 第70-76页 |
| ·温度对硅沉积率的影响 | 第70-72页 |
| ·Cl/H比对硅产率的影响 | 第72-74页 |
| ·原料配比对硅产率的影响 | 第74-76页 |
| ·以SiH_2Cl_2为原材料的硅沉积热力学 | 第76-79页 |
| ·温度对硅硅产率的影响 | 第77-78页 |
| ·Cl/H比对硅硅产率的影响 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第四章 西门子反应器中硅棒的电流加热模型 | 第81-96页 |
| ·研究背景 | 第81页 |
| ·硅棒的交流电加热 | 第81-84页 |
| ·电流加热模型 | 第84-89页 |
| ·模型假设 | 第84页 |
| ·硅棒的热平衡方程 | 第84-86页 |
| ·交流电模型 | 第86-87页 |
| ·计算方法 | 第87-89页 |
| ·计算结果和分析 | 第89-95页 |
| ·直流电加热时的温度分布 | 第89-91页 |
| ·交流电频率的影响 | 第91-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第五章 西门子反应器动力学-传递模型 | 第96-128页 |
| ·研究现状 | 第96-98页 |
| ·气相守恒方程 | 第98-101页 |
| ·线动量守恒 | 第99页 |
| ·总质量守恒 | 第99-100页 |
| ·单个物质质量守恒 | 第100-101页 |
| ·能量守恒 | 第101页 |
| ·动力学-传递模型 | 第101-107页 |
| ·动量传递 | 第102-103页 |
| ·热量传递 | 第103页 |
| ·化学物质的质量传递 | 第103-107页 |
| ·参数计算 | 第107-108页 |
| ·扩散系数 | 第107-108页 |
| ·热扩散系数 | 第108页 |
| ·粘度 | 第108页 |
| ·热导率 | 第108页 |
| ·计算结果与分析 | 第108-126页 |
| ·气流速度的影响 | 第110-113页 |
| ·进料气体组分的影响 | 第113-115页 |
| ·硅表面温度的影响 | 第115-121页 |
| ·进料气体初始温度的影响 | 第121-123页 |
| ·压强的影响 | 第123-126页 |
| ·本章小结 | 第126-128页 |
| 第六章 SiCl_4氢化转化为SiHCl_3过程热力学 | 第128-145页 |
| ·SiCl_4高温氢化热力学 | 第128-140页 |
| ·“Si-H-Cl”体系热力学 | 第128-130页 |
| ·计算结果与讨论 | 第130-140页 |
| ·SiCl_4低温氢化热力学 | 第140-144页 |
| ·STC低温氢化热力学特点 | 第141页 |
| ·计算结果与分析 | 第141-144页 |
| ·本章小结 | 第144-145页 |
| 第七章 SiCl_4锌还原法制备多晶硅过程热力学研究 | 第145-160页 |
| ·锌还原法的基本原理 | 第145页 |
| ·气相平衡分布 | 第145-150页 |
| ·影响硅产率的因素分析 | 第150-159页 |
| ·温度对硅产率的影响 | 第150-153页 |
| ·压强对硅产率的影响 | 第153-156页 |
| ·原料配比对硅产率的影响 | 第156-159页 |
| ·本章小结 | 第159-160页 |
| 第八章 SiCl_4锌还原法制备多晶硅过程反应机理研究 | 第160-169页 |
| ·计算模型 | 第160页 |
| ·计算方法 | 第160-161页 |
| ·结果与讨论 | 第161-168页 |
| ·SiCl_n(n=1～4)的基态结构 | 第161-162页 |
| ·SiCl_4在Si(100)面上的吸附 | 第162-164页 |
| ·SiCl_4锌还原反应的途径 | 第164-168页 |
| ·本章小结 | 第168-169页 |
| 第九章 结论与展望 | 第169-172页 |
| ·结论 | 第169-171页 |
| ·展望 | 第171-172页 |
| 致谢 | 第172-174页 |
| 参考文献 | 第174-183页 |
| 附录A 就读博士期间撰写及发表的论文 | 第183-186页 |
