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ICF中keV能区X光辐射能量及超热电子能量沉淀区域研究

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-16页
   ·惯性约束聚变概述第8-10页
   ·keV能区X射线源在惯性约束聚变中的应用第10-11页
   ·金M带X光辐射诊断对惯性约束聚变实验的意义第11-12页
   ·超热电子的探测对惯性约束聚变实验的意义第12-13页
   ·论文内容安排第13页
 参考文献第13-16页
第二章 钛背光源转换效率的研究第16-27页
   ·背光透视成像技术对背光源的要求第16页
   ·高功率激光作用物质产生X射线的主要机制第16-18页
   ·keV能区X射线源的特征第18-19页
   ·keV能区X射线的产生区域第19-21页
   ·钛背光源转换效率的实验诊断第21-25页
   ·小结第25页
 参考文献第25-27页
第三章 金M带X射线诊断研究第27-38页
   ·金M带X射线产生的主要机制第27页
   ·金M带辐射能量测量方法第27-29页
   ·不同腔靶中的金M带X光辐射的比较第29-33页
   ·腔靶金M带辐射角分布测量第33-36页
   ·小结第36-37页
 参考文献第37-38页
第四章 超热电子对靶丸的预热研究及MCNP程序模拟第38-49页
   ·超热电子产生机制和主要诊断方法第38-39页
   ·MCNP程序的特点和性能第39-42页
   ·数值模拟理论模型第42-43页
   ·数值模拟结果与讨论第43-47页
   ·小结第47页
 参考文献第47-49页
第五章 总结与展望第49-50页
致谢第50-52页
附录第52页

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