| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-13页 |
| 符号表 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-35页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·TDLAS技术发展简介 | 第15-21页 |
| ·TDLAS技术 | 第15-17页 |
| ·TDLAS技术的原理 | 第17-21页 |
| ·基于TDLAS技术的气体传感用DFB激光器概述 | 第21-25页 |
| ·TDLAS光源的选择 | 第21-23页 |
| ·DFB激光器在气体检测中的应用 | 第23-24页 |
| ·几种气体的吸收谱 | 第24-25页 |
| ·长波长激光器的研究进展 | 第25-30页 |
| ·本论文的主要工作和创新点 | 第30-35页 |
| ·本论文的目的和意义 | 第30-31页 |
| ·本论文的主要工作和创新点 | 第31-35页 |
| 第二章 实验设备及主要测试方法 | 第35-53页 |
| ·MOCVD设备及原理 | 第35-47页 |
| ·MOCVD技术简介 | 第35-37页 |
| ·AIX200型设备介绍 | 第37-42页 |
| ·源材料及组分控制原理 | 第42-45页 |
| ·外延生长的限制机制 | 第45-47页 |
| ·材料性能测试技术和方法 | 第47-51页 |
| ·激光器性能参数测试技术和方法 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第三章 大应变量子阱半导体激光器相关理论 | 第53-75页 |
| ·半导体激光器的基础理论 | 第53-58页 |
| ·粒子数反转和阈值增益 | 第54-57页 |
| ·半导体激光器的等效电路 | 第57-58页 |
| ·应变量子阱理论及其增益谱计算 | 第58-69页 |
| ·应变多量子阱相关理论 | 第59-67页 |
| ·量子阱增益谱的计算 | 第67-69页 |
| ·DFB激光器工作原理 | 第69-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第四章 材料生长和器件制作流程 | 第75-90页 |
| ·材料生长 | 第75-84页 |
| ·器件的具体制作流程 | 第84-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第五章 气体传感用长波长大应变量子阱分布反馈激光器的研制 | 第90-116页 |
| ·1.65微米甲烷探测用DFB激光器的制备 | 第90-93页 |
| ·1.79微米一氧化氮探测用DFB激光器的制备 | 第93-98页 |
| ·1.8微米水汽探测用DFB激光器的制备 | 第98-114页 |
| ·650℃材料生长 | 第99-106页 |
| ·600℃材料生长 | 第106-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 第六章 总结 | 第116-119页 |
| 参考文献 | 第119-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第128-129页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第129页 |