带电聚噻吩分子自旋极化的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-13页 |
| 第一章 前言 | 第13-21页 |
| §1.1 有机自旋电子学 | 第13-16页 |
| §1.2 聚噻吩的制备与结构 | 第16-17页 |
| §1.3 聚噻吩的性能 | 第17-18页 |
| §1.4 聚噻吩的应用 | 第18-19页 |
| §1.5 本论文的研究内容和意义 | 第19-21页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第21-31页 |
| §2.1 绝热近似 | 第21-22页 |
| §2.2 密度泛函理论 | 第22-25页 |
| §2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第22-24页 |
| §2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
| §2.3 交换关联泛函 | 第25-27页 |
| §2.3.1 局域密度近似 | 第25-26页 |
| §2.3.2 广义梯度近似 | 第26-27页 |
| §2.4 赝势方法 | 第27-29页 |
| §2.5 密度泛函计算的自洽过程 | 第29-30页 |
| §2.6 计算软件SIESTA简介 | 第30-31页 |
| 第三章 电荷注入对六噻吩分子的影响 | 第31-42页 |
| §3.1 引言 | 第31-35页 |
| §3.2 计算参数与理论模型 | 第35页 |
| §3.3 结果与讨论 | 第35-41页 |
| §3.4 小结 | 第41-42页 |
| 第四章 电荷注入对聚噻吩分子的影响 | 第42-50页 |
| §4.1 引言 | 第42-43页 |
| §4.2 计算参数与理论模型 | 第43-48页 |
| §4.4 小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结 | 第50-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第56页 |
