| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·“黑硅”和“多孔硅”简介 | 第12-15页 |
| ·“黑硅” | 第12-14页 |
| ·“多孔硅” | 第14-15页 |
| ·国内外研究现状 | 第15-20页 |
| ·研究内容和技术路线 | 第20-22页 |
| ·研究内容 | 第20页 |
| ·技术路线 | 第20-22页 |
| 第二章 PIN光电探测器简介及器件结构设计 | 第22-39页 |
| ·PIN光电探测器的基本原理 | 第22-27页 |
| ·光学吸收 | 第22-23页 |
| ·PN结 | 第23-25页 |
| ·工作原理 | 第25-26页 |
| ·伏安特性 | 第26-27页 |
| ·PIN光电探测器的性能参数 | 第27-29页 |
| ·光谱响应范围 | 第27页 |
| ·量子效率η与响应度Re | 第27-28页 |
| ·响应时间 | 第28页 |
| ·暗电流Id与伏安特性 | 第28-29页 |
| ·器件结构设计 | 第29-38页 |
| ·材料选择 | 第30-31页 |
| ·结构参数设计 | 第31-32页 |
| ·增透膜设计 | 第32-34页 |
| ·响应度Re和量子效率η验算 | 第34-35页 |
| ·暗电流验算 | 第35-36页 |
| ·响应时间验算 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 硅PIN光电探测器的仿真研究 | 第39-57页 |
| ·SilvacoTCAD软件介绍 | 第39-40页 |
| ·软件概况 | 第39页 |
| ·ATLAS二维器件仿真软件介绍 | 第39-40页 |
| ·模型建立及参数设置 | 第40-41页 |
| ·正照式探测器结构及光电特性仿真 | 第41-51页 |
| ·基本结构 | 第42-44页 |
| ·光谱响应曲线、量子效率和响应度 | 第44-48页 |
| ·I-V特性曲线和暗电流 | 第48-49页 |
| ·响应时间 | 第49-51页 |
| ·背照式探测器结构及光电特性仿真 | 第51-55页 |
| ·基本结构 | 第51-52页 |
| ·光谱响应曲线、量子效率和响应度 | 第52-53页 |
| ·I-V特性曲线和暗电流 | 第53-55页 |
| ·响应时间 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 基于黑硅/多孔硅PIN光电探测器的仿真研究 | 第57-75页 |
| ·无杂质能级探测器仿真 | 第57-64页 |
| ·高吸收率近似 | 第57页 |
| ·光谱响应曲线、量子效率和响应度 | 第57-60页 |
| ·I-V特性曲线和暗电流 | 第60-63页 |
| ·响应时间 | 第63-64页 |
| ·有杂质能级探测器仿真 | 第64-70页 |
| ·介质的复折射率和光子吸收系数 | 第64页 |
| ·杂质能级近似 | 第64-66页 |
| ·基本结构 | 第66-67页 |
| ·光谱响应曲线、量子效率和响应度 | 第67-68页 |
| ·I-V特性曲线和暗电流 | 第68-69页 |
| ·响应时间 | 第69-70页 |
| ·讨论 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 结论与展望 | 第75-77页 |
| ·结论 | 第75-76页 |
| ·展望 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第81-82页 |