基于0.18um工艺低电压、低功耗CMOS运算放大器的设计与研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| ·课题背景和研究意义 | 第8-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-11页 |
| ·本课题主要完成的工作 | 第11-12页 |
| ·本章小结 | 第12-13页 |
| 第2章 CMOS 器件模型与工作特性 | 第13-24页 |
| ·MOS 器件模型与工作特性 | 第13-18页 |
| ·MOS 管的一阶 V/I 特性 | 第13-16页 |
| ·二级效应 | 第16-18页 |
| ·MOS 管的大信号模型 | 第18-19页 |
| ·MOS 管的小信号模型 | 第19-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 低电压低功耗 CMOS 运放概述 | 第24-41页 |
| ·集成运放概述 | 第24-28页 |
| ·运算放大器的发展概况 | 第24页 |
| ·集成运放的基本结构 | 第24-27页 |
| ·CMOS 运算放大器的优点 | 第27-28页 |
| ·运放的应用 | 第28-31页 |
| ·基本运算电路 | 第28-30页 |
| ·信号处理电路 | 第30页 |
| ·波形发生器 | 第30-31页 |
| ·测量电路 | 第31页 |
| ·低电压低功耗模拟 IC 基本问题 | 第31-40页 |
| ·CMOS 电路功耗的来源 | 第31-32页 |
| ·电压降低的极限 | 第32页 |
| ·低电压低功耗运放的基本问题 | 第32-33页 |
| ·低电压低功耗模拟 IC 设计技术 | 第33-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 低电压低功耗运放的设计与仿真 | 第41-53页 |
| ·技术指标的要求 | 第41页 |
| ·运放的电路结构及基本原理 | 第41-45页 |
| ·运放的仿真结果 | 第45-52页 |
| ·运放的直流传输特性分析 | 第45页 |
| ·运放输入和输出的共模电压范围分析 | 第45-47页 |
| ·运放的交流小信号分析 | 第47-48页 |
| ·运放的静态功耗分析 | 第48页 |
| ·运放的转换速率和建立时间分析 | 第48-49页 |
| ·运放的共模抑制比分析 | 第49-50页 |
| ·运放的电源抑制比分析 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 低电压低功耗 CMOS 运放的版图设计 | 第53-58页 |
| ·设计规则 | 第54-55页 |
| ·闩锁效应 | 第55页 |
| ·DRC 和 LVS | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第6章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第66页 |
