| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-12页 |
| ·硅系太阳能电池研究历史 | 第10-11页 |
| ·本文主要研究内容和思路 | 第11-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-29页 |
| ·太阳能电池 | 第12-13页 |
| ·概述 | 第12页 |
| ·原理与结构 | 第12-13页 |
| ·硅系太阳能电池研究现状 | 第13-20页 |
| ·晶体硅太阳能电池 | 第13-14页 |
| ·多晶硅太阳能电池 | 第14-16页 |
| ·非晶硅 | 第16-18页 |
| ·纳米非晶硅 | 第18-20页 |
| ·其他太阳能电池研究进展 | 第20-23页 |
| ·化合物太阳能电池 | 第20-21页 |
| ·高分子太阳能电池 | 第21-22页 |
| ·染料敏化太阳能电池 | 第22-23页 |
| ·RF-PECVD中非晶硅膜的生长过程 | 第23-26页 |
| ·等离子体反应 | 第23-24页 |
| ·沉积-迁移-生长 | 第24-26页 |
| ·非晶硅掺杂 | 第26-27页 |
| ·研究目的和意义 | 第27-29页 |
| 第三章 实验与测试 | 第29-37页 |
| ·样品制备 | 第29-33页 |
| ·实验设备 | 第29-30页 |
| ·原材料与衬底 | 第30页 |
| ·样品制备 | 第30-33页 |
| ·分析与测试方法 | 第33-37页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第33页 |
| ·激光喇曼光谱(Raman) | 第33页 |
| ·紫外-可见透射光谱(UV-vis) | 第33-34页 |
| ·傅立叶红外吸收光谱(FTIR) | 第34页 |
| ·场发射扫描电镜(FESEM) | 第34-35页 |
| ·透射电镜(TEM) | 第35页 |
| ·光暗电导率测试(High Resistance Meter) | 第35-36页 |
| ·薄膜厚度测试(Surface Profiler) | 第36-37页 |
| 第四章 本征na-Si:H薄膜的制备与性质研究 | 第37-61页 |
| ·结构 | 第37-42页 |
| ·沉积速率与沉积模型 | 第42-45页 |
| ·组成 | 第45-51页 |
| ·光学性能 | 第51-56页 |
| ·电学性能 | 第56-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第五章 掺硼na-Si:H薄膜的制备与性质研究 | 第61-72页 |
| ·结构与组成 | 第61-64页 |
| ·光学性能 | 第64-66页 |
| ·电学性能 | 第66-67页 |
| ·工艺参数影响 | 第67-70页 |
| ·小结 | 第70-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-81页 |
| 附录Ⅰ.硕士生学习期间完成的论文 | 第81-82页 |
| 附录Ⅱ.致谢 | 第82页 |