电化学腐蚀多孔硅光致发光特性研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 1 引言 | 第9-26页 |
| ·多孔硅的研究历史 | 第9页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第9-13页 |
| ·电化学阳极氧化法 | 第9-11页 |
| ·湿法化学腐蚀法 | 第11页 |
| ·光辐射辅助化学腐蚀法 | 第11-12页 |
| ·火花腐蚀法 | 第12页 |
| ·水热腐蚀法 | 第12页 |
| ·脉冲腐蚀法 | 第12-13页 |
| ·多孔硅的后处理方法 | 第13-14页 |
| ·快速热、氧化处理法 | 第13-14页 |
| ·金属钝化处理 | 第14页 |
| ·多孔硅的结构 | 第14-19页 |
| ·多孔硅孔隙度的概念 | 第15-16页 |
| ·制备参数对多孔硅结构的影响 | 第16-19页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第19-20页 |
| ·多孔硅的发光机理 | 第20-24页 |
| ·光致发光 | 第21-23页 |
| ·电致发光 | 第23-24页 |
| ·本论文研究目的及主要内容 | 第24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 2 样品制备与测试表征技术 | 第26-34页 |
| ·样品的制备 | 第26页 |
| ·单晶硅的清洗 | 第26页 |
| ·样品的制备 | 第26页 |
| ·样品测试表征 | 第26-33页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第27-29页 |
| ·傅立叶红外光谱仪(FTIR) | 第29-30页 |
| ·光致发光(PL) | 第30-31页 |
| ·光致发光激发光谱(PLE) | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 3 测试结果与性能分析 | 第34-45页 |
| ·实验设备 | 第34-35页 |
| ·实验装置 | 第34页 |
| ·金属Al 电极的制备 | 第34-35页 |
| ·实验结果分析 | 第35-43页 |
| ·腐蚀电流密度对多孔硅发光特性的影响 | 第35-39页 |
| ·腐蚀时间对多孔硅发光特性的影响 | 第39-41页 |
| ·老化时间对多孔硅发光特性的影响 | 第41-42页 |
| ·电解液浓度对多孔硅发光特性的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 4 结语与展望 | 第45-47页 |
| ·本论文研究得到的主要结论 | 第45-46页 |
| ·关于PS 材料研究的下一步工作和展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第52页 |