铌酸锂晶体的性能表征及其在体全息中的应用研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| ·课题的研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·体全息技术的发展及国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·光折变体全息技术的国外发展及研究现状 | 第11-12页 |
| ·体全息技术的国内发展及研究现状 | 第12-13页 |
| ·光折变晶体材料的发展研究状况 | 第13-15页 |
| ·本文的主要内容 | 第15-16页 |
| 第2章 光折变体全息存储的基本理论 | 第16-33页 |
| ·光折变效应及其动力学过程 | 第16-19页 |
| ·体全息存储的基本理论 | 第19-27页 |
| ·体全息存储原理 | 第19-22页 |
| ·体全息存储的优点 | 第22-23页 |
| ·体光栅与布拉格衍射 | 第23-25页 |
| ·耦合波理论 | 第25-27页 |
| ·布拉格偏移 | 第27页 |
| ·复用技术 | 第27-30页 |
| ·角度复用 | 第27-29页 |
| ·相位复用 | 第29页 |
| ·波长复用 | 第29页 |
| ·分维角度复用技术 | 第29-30页 |
| ·混合的全息复用技术 | 第30页 |
| ·衍射效率均匀化 | 第30-32页 |
| ·顺序曝光法 | 第31-32页 |
| ·增量曝光法 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 铌酸锂晶体的结构、改性及其制备 | 第33-45页 |
| ·铌酸锂晶体结构 | 第33-34页 |
| ·铌酸锂晶体的本征与非本征缺陷 | 第34-36页 |
| ·铌酸锂晶体的本征缺陷 | 第34-36页 |
| ·铌酸锂晶体的非本征缺陷 | 第36页 |
| ·铌酸锂晶体的掺杂改性 | 第36-38页 |
| ·光折变掺杂 | 第37页 |
| ·抗光折变掺杂 | 第37页 |
| ·氧化还原处理 | 第37-38页 |
| ·铌酸锂晶体的制备 | 第38-44页 |
| ·铌酸锂晶体中掺杂元素的选取 | 第38-39页 |
| ·多晶料的制取 | 第39-40页 |
| ·晶体生长与加工 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 基于铌酸锂晶体多重全息的衍射效率研究 | 第45-64页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·传统等衍射效率方案的分析 | 第46-51页 |
| ·衍射效率均匀化 | 第46-48页 |
| ·传统的曝光时序方案分析 | 第48-51页 |
| ·系统几何组态对衍射效率均匀性的影响 | 第51-59页 |
| ·r_(eff)与几何组态的关系 | 第52-55页 |
| ·E_(sc)与几何组态的关系 | 第55-56页 |
| ·多重全息存储各光栅△n_(sat)的差异 | 第56-59页 |
| ·顺序曝光时序的修正 | 第59-63页 |
| ·曝光时序修正的理论分析 | 第59-60页 |
| ·修正后等衍射效率曝光方案的仿真验证 | 第60-61页 |
| ·多重等衍射效率全息光栅的写入 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 基于铌酸锂晶体的体全息存储系统性能研究 | 第64-73页 |
| ·影响体全息存储性能因素的分析 | 第64页 |
| ·体全息存储系统的构建 | 第64-66页 |
| ·体全息存储的实现 | 第66-71页 |
| ·图像存储及再现过程 | 第66-68页 |
| ·多重存储控制系统 | 第68-69页 |
| ·光束偏转与快门的控制 | 第69-71页 |
| ·再现图像的像质分析 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 结论与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-82页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
