| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| §1.1 低介电常数材料的研究背景 | 第7-10页 |
| §1.2 SiCOH薄膜研究现状 | 第10-13页 |
| §1.3 本小组SiCOH薄膜研究的主要进展 | 第13-14页 |
| §1.4 本文的研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 SiCOH薄膜的制备及表征方法 | 第15-31页 |
| §2.1 SiCOH薄膜的制备方法 | 第15-19页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体(ECR Plasma)简介 | 第15-16页 |
| ·ECR等离子体沉积薄膜方法与实验装置 | 第16-17页 |
| ·实验参数 | 第17-18页 |
| ·样品的退火处理 | 第18-19页 |
| §2.2 SiCOH薄膜性能与结构的表征方法 | 第19-25页 |
| ·膜厚的测量 | 第19-20页 |
| ·SiCOH薄膜结构的傅立叶变换红外光谱表征 | 第20-23页 |
| ·SiCOH薄膜表面形貌的原子力显微镜表征 | 第23-25页 |
| ·接触模式 | 第24页 |
| ·半接触模式 | 第24-25页 |
| ·非接触模式 | 第25页 |
| §2.3 ECR放电等离子体特性分析 | 第25-28页 |
| ·ECR放电等离子体发射光谱的诊断原理与方法 | 第25-27页 |
| ·特征谱线与基团识别 | 第27-28页 |
| §2.4 SiCOH薄膜吸湿性能的水接触角表征 | 第28-31页 |
| 第三章 掺CH_4 SiCOH薄膜的结构及其放电等离子体关联 | 第31-35页 |
| §3.1 掺CH_4的SiCOH薄膜的键结构分析 | 第31-33页 |
| §3.2 掺CH_4的SiCOH薄膜的微结构特征 | 第33页 |
| §3.3 CH_4/D5的放电等离子体特性 | 第33-35页 |
| 第四章 热处理对掺CH_4的SiCOH薄膜结构及性能的影响 | 第35-41页 |
| §4.1 真空退火对掺CH_4的SiCOH薄膜的键结构的影响 | 第35-37页 |
| §4.2 真空退火对掺CH_4的SiCOH薄膜的表面形貌的影响 | 第37-38页 |
| §4.3 真空退火对掺CH_4的SiCOH薄膜的疏水性的影响 | 第38-39页 |
| §4.4 电流—电压(I—V)特性 | 第39-40页 |
| §4.5 电容—电压(C—V)特性 | 第40-41页 |
| 第五章 结论 | 第41-42页 |
| §5.1 本研究的主要结果 | 第41页 |
| §5.2 存在的主要问题和进一步研究的方向 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-47页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 详细摘要 | 第49-51页 |
