垂直结构氮化稼肖特基二极管的研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 GaN的晶体结构和电学特性 | 第11-12页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 电学特性 | 第12页 |
| 1.3 GaN基肖特基二极管介绍 | 第12-19页 |
| 1.3.1 肖特基二极管原理简介 | 第12-16页 |
| 1.3.2 GaN基二极管发展现状 | 第16-19页 |
| 1.4 本论文工作内容 | 第19-21页 |
| 1.4.1 工作的意义 | 第19页 |
| 1.4.2 内容与安排 | 第19-21页 |
| 第二章 GaN同质外延层的表征 | 第21-27页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 位错密度表征 | 第21-23页 |
| 2.3 表面形貌表征 | 第23-24页 |
| 2.4 杂质含量表征 | 第24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-27页 |
| 第三章 垂直型GaN基肖特基二极管仿真模拟 | 第27-37页 |
| 3.1 仿真工具介绍 | 第27-28页 |
| 3.2 物理模型介绍 | 第28-30页 |
| 3.2.1 Poisson方程和电流连续性方程 | 第28-29页 |
| 3.2.2 输运模型 | 第29-30页 |
| 3.2.3 迁移率模型 | 第30页 |
| 3.3 数值求解方法 | 第30-31页 |
| 3.4 器件模型建立 | 第31-35页 |
| 3.4.1 场板结构模拟 | 第32-34页 |
| 3.4.2 器件结构设计 | 第34-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 垂直型GaN肖特基二极管的制备 | 第37-51页 |
| 4.1 引言 | 第37-39页 |
| 4.2 器件工艺制备 | 第39-46页 |
| 4.2.1 紫外光刻工艺 | 第39-40页 |
| 4.2.2 离子注入工艺 | 第40-42页 |
| 4.2.3 器件工艺过程 | 第42-46页 |
| 4.3 器件测试分析 | 第46-49页 |
| 4.3.1 器件测试原理 | 第46-47页 |
| 4.3.2 测试结果讨论 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 全文总结 | 第51-52页 |
| 5.2 工作展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第59页 |
