| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·接收机前端研究 | 第8-10页 |
| ·外差式接收机（Heterodyne receiver） | 第8-9页 |
| ·零中频接收机（Zero-IF receiver） | 第9页 |
| ·低中频接收机（Low-IF receiver） | 第9-10页 |
| ·振荡器的发展 | 第10-12页 |
| ·发展历史回顾 | 第10-11页 |
| ·发展趋势 | 第11-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-13页 |
| ·本文的结构安排 | 第13页 |
| 参考文献 | 第13-16页 |
| 第二章：SiGe-HBT | 第16-22页 |
| ·SiGe 工艺的发展 | 第16-17页 |
| ·SiGe 器件原理 | 第17-19页 |
| ·SiGe-RFIC 的优点及其未来发展趋势 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-22页 |
| 第三章 集成电感 | 第22-30页 |
| ·前言 | 第22-23页 |
| ·集成电感集总参数模型 | 第23-26页 |
| ·单端电感 | 第23-24页 |
| ·差动电感 | 第24-25页 |
| ·品质因数Q | 第25-26页 |
| ·集成电感的选择 | 第26页 |
| ·集成电感的应用及其未来发展 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 第四章：压控振荡器设计原理 | 第30-62页 |
| ·简介 | 第30-34页 |
| ·振荡器特性 | 第30-31页 |
| ·LC 振荡器 | 第31-32页 |
| ·通过反馈增加负阻 | 第32-33页 |
| ·常见的反馈振荡器 | 第33-34页 |
| ·放大器的基本结构 | 第34页 |
| ·反馈系统振荡器分析 | 第34-41页 |
| ·闭环分析 | 第35-36页 |
| ·Colpitts 振荡器的电容比 | 第36-38页 |
| ·开环分析 | 第38-40页 |
| ·环路增益的简化设计 | 第40-41页 |
| ·放大器负阻的产生 | 第41-43页 |
| ·Colpitts 振荡器的负阻 | 第41-42页 |
| ·串联和并联电路的负阻 | 第42页 |
| ·─G_m振荡器的负阻分析 | 第42-43页 |
| ·振荡器分析的附加说明 | 第43页 |
| ·差动VCO | 第43-47页 |
| ·基本的差动振荡器拓扑结构 | 第43-44页 |
| ·一种改进的带缓冲的共集Colpitts 振荡器 | 第44页 |
| ·─G_m结构的优化 | 第44-47页 |
| ·VCO 设计需要考虑的重要因素 | 第47-53页 |
| ·振荡器频率的寄生效应 | 第47页 |
| ·晶体管的大信号非线性特性 | 第47-48页 |
| ·在起震时偏置的变化 | 第48-49页 |
| ·振荡器的幅度 | 第49-53页 |
| ·相位噪声 | 第53-59页 |
| ·相位噪声的表征 | 第53-57页 |
| ·对低频噪声探讨 | 第57页 |
| ·非线性噪声 | 第57-59页 |
| ·压控振荡器的设计思想 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第五章 压控振荡器电路设计 | 第62-68页 |
| ·软件和工艺的选择 | 第62页 |
| ·电路结构的确定 | 第62-64页 |
| ·整体电路 | 第64-65页 |
| ·折中考虑 | 第65页 |
| ·设计流程 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 第六章 仿真结果及结论 | 第68-74页 |
| ·仿真结果 | 第68-71页 |
| ·瞬态分析 | 第68-69页 |
| ·相位噪声 | 第69-70页 |
| ·调节范围 | 第70-71页 |
| ·性能总结和比较 | 第71-72页 |
| ·结论 | 第72页 |
| ·有待解决的问题 | 第72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 在读期间的研究成果 | 第76页 |