| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-18页 |
| ·研究的背景与意义 | 第14-15页 |
| ·设计工艺的选择 | 第15页 |
| ·本论文的主要工作 | 第15-16页 |
| ·本文的组织结构 | 第16-18页 |
| 第二章 CMOS RFIC 器件模型 | 第18-27页 |
| ·集成无源器件 | 第18-24页 |
| ·电阻 | 第18-19页 |
| ·电容 | 第19-22页 |
| ·电感 | 第22-24页 |
| ·射频 MOS 器件模型 | 第24-27页 |
| 第三章 统一热噪声和冲击噪声的低噪声放大器噪声分析 | 第27-43页 |
| ·噪声源分类 | 第27-29页 |
| ·冲击噪声(Shot Noise) | 第27页 |
| ·热噪声(Thermal Noise) | 第27-28页 |
| ·闪烁噪声(Flicker Noise) | 第28-29页 |
| ·MOS 晶体管噪声模型 | 第29-31页 |
| ·漏极电流噪声 | 第29页 |
| ·栅噪声 | 第29-30页 |
| ·MOS 的完整噪声模型 | 第30-31页 |
| ·经典的二端口网络噪声理论 | 第31-33页 |
| ·线性二端口网络的噪声因子 | 第31-32页 |
| ·最优的源噪声导纳 | 第32-33页 |
| ·冲击噪声、热噪声的统一建模 | 第33-36页 |
| ·模型说明 | 第33-35页 |
| ·热噪声、冲击噪声统一表达式 | 第35-36页 |
| ·基于热噪声、冲击噪声统一模型的低噪声放大器分析 | 第36-43页 |
| ·预备公式 | 第36-37页 |
| ·推导单管低噪声放大器网络噪声参数 | 第37-40页 |
| ·最小噪声系数的推导 | 第40-43页 |
| 第四章 混频器性能指标分析与设计折衷考虑 | 第43-58页 |
| ·混频器的分类与结构 | 第43-48页 |
| ·单平衡混频器的工作原理 | 第44-46页 |
| ·双平衡混频器工作原理 | 第46-48页 |
| ·混频器指标分析以及设计中的折衷考虑 | 第48-58页 |
| ·转换增益与带宽 | 第48-50页 |
| ·线性度 | 第50-51页 |
| ·端口隔离度 | 第51页 |
| ·低电压供电 | 第51-53页 |
| ·噪声系数 | 第53-58页 |
| 第五章 两级混频器设计与级联仿真 | 第58-83页 |
| ·混频器电路设计 | 第58-63页 |
| ·2.4GHz 频段混频器电路设计 | 第58-61页 |
| ·49MHz 频率的混频器设计 | 第61-63页 |
| ·偏置电路的设计 | 第63-67页 |
| ·版图设计 | 第67-70页 |
| ·抑制干扰 | 第67页 |
| ·减小寄生参数 | 第67-68页 |
| ·混频器核心单元版图设计的考虑及最终版图形式 | 第68-70页 |
| ·两级混频器的仿真结果 | 第70-78页 |
| ·2.4GHz 频段混频器仿真结果 | 第70-74页 |
| ·2.4GHz 频段混频器仿真结果分析 | 第74-75页 |
| ·49MHz 混频器仿真结果 | 第75-78页 |
| ·49MHz 混频器仿真结果分析 | 第78页 |
| ·2.4GHz 频段低噪声放大器和混频器的级联仿真 | 第78-83页 |
| 第六章 结论 | 第83-85页 |
| ·论文工作总结 | 第83页 |
| ·进一步工作的建议 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第89页 |