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IGBT数值分析模型及其在NPC三电平变换器损耗分析中的应用

摘要第1-4页
Abstract第4-6页
目录第6-8页
第一章 绪论第8-13页
   ·课题背景第8-9页
   ·国内外发展现状第9-11页
   ·课题目的和研究意义第11页
   ·论文主要工作以及章节安排第11-13页
第二章 IGBT的工作原理和基本特性第13-24页
   ·IGBT的结构第13-18页
     ·IGBT结构的演变过程第13-15页
     ·IGBT与VDMOS的区别第15-16页
     ·IGBT的纵向结构第16-18页
   ·IGBT的工作原理第18-21页
   ·IGBT的基本特性第21-23页
     ·静态特性第21-22页
     ·动态特性第22-23页
   ·本章小结第23-24页
第三章 IGBT模型设计第24-39页
   ·IGBT模型第24-26页
     ·IGBT的简化结构第24-25页
     ·等效电路结构第25-26页
   ·理论分析第26-33页
     ·参数计算第26-28页
     ·温度效应第28-30页
     ·IGBT的基本特性仿真第30-33页
   ·IGBT模型的仿真应用第33-38页
     ·三电平逆变电路仿真模型建立第33-34页
     ·二极管模型第34-38页
   ·本章小结第38-39页
第四章 三电平变换器损耗研究第39-54页
   ·三电平变换器通态损耗第39-49页
     ·器件的工作状态和换流模式第39-44页
     ·通态损耗的计算第44-49页
   ·三电平变换器开关损耗第49-52页
     ·IGBT的开关损耗第49-50页
     ·二极管的开关损耗第50-52页
   ·实验验证第52-53页
   ·本章小结第53-54页
第五章 硬件设计第54-63页
   ·设计目标及系统流程第54-56页
     ·设计目标第54页
     ·系统硬件流程第54-55页
     ·系统软件流程第55-56页
   ·硬件电路详细设计第56-61页
     ·控制电路第56页
     ·接口电路第56-59页
     ·驱动电路第59-60页
     ·系统主电路第60-61页
     ·实验波形第61页
   ·本章小结第61-63页
第六章 总结与展望第63-64页
   ·总结第63页
   ·展望第63-64页
参考文献第64-69页
致谢第69-70页
攻读硕士学位期间发表的论文第70页

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