| 第一章 绪论 | 第1-25页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·纳米材料的概念及分类 | 第14页 |
| ·纳米材料的基本特性 | 第14-16页 |
| ·量子尺寸效应 | 第14-15页 |
| ·小尺寸效应 | 第15页 |
| ·表面和界面效应 | 第15-16页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第16页 |
| ·准一维纳米材料的研究进展 | 第16-17页 |
| ·准一维纳米材料的制备方法与生长机制 | 第17-22页 |
| ·气相法合成一维纳米材料 | 第17-19页 |
| ·液相法合成一维纳米材料 | 第19-20页 |
| ·模板法合成一维纳米材料 | 第20-22页 |
| ·准一维纳米材料的研究趋势 | 第22-23页 |
| ·准一维纳米材料的制备的继续探索和创新 | 第22-23页 |
| ·单个纳米结构单元的性能研究 | 第23页 |
| ·准一维纳米材料为基础的纳米器件的组装 | 第23页 |
| ·本论文的选题背景与研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验设备及样品的表征 | 第25-30页 |
| ·实验设备简介 | 第25-27页 |
| ·实验设备示意图 | 第25页 |
| ·实验设备和测试仪器 | 第25-26页 |
| ·实验原理 | 第26页 |
| ·实验操作规程 | 第26-27页 |
| ·注意事项： | 第27页 |
| ·实验样品的结构表征及物性分析方法 | 第27-29页 |
| ·X-射线衍射(XRD) | 第27页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第27-28页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第28页 |
| ·光学特性分析-光致发光谱(Photoluminescence) | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 SiOx纳米管的制备及其发光特性 | 第30-36页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验过程与测试 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-35页 |
| ·样品的表征 | 第31-32页 |
| ·SiOx纳米管的生长机制 | 第32-34页 |
| ·SiOx纳米管的光致发光性能 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 氧化镓(Ga_2O_3)准一维纳米结构的研究 | 第36-46页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·试验过程 | 第36-37页 |
| ·样品制备 | 第36-37页 |
| ·样品的表征测试 | 第37页 |
| ·实验结果与讨论 | 第37-44页 |
| ·产物的XRD和SEM分析 | 第37-40页 |
| ·产物的TEM分析 | 第40-41页 |
| ·生长机制讨论 | 第41-42页 |
| ·Ga_2O_3的光致发光性能 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 自催化和镍催化合成GaN纳米线及影响因素 | 第46-55页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·实验过程 | 第47页 |
| ·实验结果与讨论 | 第47-54页 |
| ·以LaAiO_3为衬底获得的样品的SEM | 第47-48页 |
| ·LaAlO_3衬底上样品的生长机制 | 第48-51页 |
| ·以单晶硅为衬底获得的样品的表征和生长机制 | 第51-52页 |
| ·影响GaN纳米线生长的主要因素 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 全文总结与前景展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第61页 |