静电感应光电晶体管（SIPT）光电作用机理的研究及其制作
| 第一章 引言 | 第1-11页 |
| 第二章 静电感应晶体管基本理论 | 第11-20页 |
| §2.1 SIT的基本结构和特点 | 第11-13页 |
| §2.2 SIT电场电势分析模型 | 第13-16页 |
| §2.3 SIT的不饱和电流特性 | 第16-20页 |
| 第三章 光敏器件的物理作用机制 | 第20-30页 |
| §3.1 光电探测器件原理及特性 | 第20-25页 |
| §3.2 光电探测器件的性能参数 | 第25-28页 |
| §3.3 光电探测器件的噪声 | 第28-30页 |
| 第四章 静电感应光电探测晶体管SIPT的理论 | 第30-44页 |
| §4.1 硅光电二极管和光电PIN管 | 第30-35页 |
| §4.2 其它类型光电二极管 | 第35-37页 |
| §4.3 静电感应微光探测器件(SIPT)的结构 | 第37-39页 |
| §4.4 SIPT的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第39-42页 |
| §4.5 SIPT的特性参数 | 第42-43页 |
| §4.6 小结 | 第43-44页 |
| 第五章 静电感应光电探测晶体管SIPT的数值模拟 | 第44-64页 |
| §5.1 半导体器件的基本方程 | 第44-47页 |
| §5.2 半导体器件的数值模拟 | 第47-51页 |
| §5.3 模拟SIPT的模型 | 第51-53页 |
| §5.4 SIPT的模拟过程 | 第53-58页 |
| §5.5 SIPT的模拟结果的分析 | 第58-64页 |
| 第六章 SIPT版图设计 | 第64-77页 |
| §6.1 材料选择 | 第64-66页 |
| §6.2 SIPT物理结构参数 | 第66-67页 |
| §6.3 挖槽版图设计 | 第67-68页 |
| §6.4 栅区扩散版设计 | 第68-69页 |
| §6.5 源区扩散版设计 | 第69-70页 |
| §6.6 栅区引线孔版设计 | 第70-71页 |
| §6.7 栅源同时引线孔版设计 | 第71-72页 |
| §6.8 栅源铝引线版设计 | 第72-74页 |
| §6.9 版图叠加 | 第74-76页 |
| §6.10 各层版图分布重复 | 第76-77页 |
| 第七章 SIPT芯片制作工艺流程 | 第77-88页 |
| §7.1 工艺流程综述 | 第77页 |
| §7.2 热生长硅的氧化层 | 第77-79页 |
| §7.3 硅中的扩散 | 第79-80页 |
| §7.4 实际工艺流程 | 第80-88页 |
| 第八章 SIPT特性测试分析与结果 | 第88-97页 |
| §8.1 SIPT的Ⅰ—Ⅴ特性 | 第88-91页 |
| §8.2 Ⅰ—Ⅴ特性结果分析 | 第91-93页 |
| §8.3 SIPT击穿特性分析 | 第93-95页 |
| §8.4 结论 | 第95-97页 |
| 附录 | 第97-108页 |
| 参考文献 | 第108-111页 |
| 致谢 | 第111页 |
