半导体氮化硼薄膜的制备及其异质结特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·cBN的性质及其应用前景 | 第10-12页 |
| ·cBN薄膜的制备方法 | 第12页 |
| ·研究现状和存在的问题 | 第12-16页 |
| ·研究现状 | 第12-14页 |
| ·存在的问题 | 第14-16页 |
| ·本文的研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 cBN薄膜的微结构和标识 | 第17-26页 |
| ·BN的相结构 | 第17-20页 |
| ·六角氮化硼(hBN) | 第17-19页 |
| ·立方氮化硼(cBN) | 第19页 |
| ·菱形氮化硼 | 第19-20页 |
| ·纤锌矿氮化硼 | 第20页 |
| ·cBN薄膜的微结构 | 第20-23页 |
| ·非晶BN层 | 第21页 |
| ·六角BN层 | 第21-22页 |
| ·cBN层 | 第22页 |
| ·近表面层 | 第22-23页 |
| ·cBN薄膜的标识 | 第23-26页 |
| ·傅立叶变换红外谱(FTIR) | 第23-24页 |
| ·电子衍射和 X射线衍射方法 | 第24页 |
| ·透射电子显微术(TEM) | 第24-25页 |
| ·薄膜化学配比的确定 | 第25页 |
| ·薄膜的形貌观察 | 第25-26页 |
| 第3章 射频溅射法制备立方氮化硼 | 第26-35页 |
| ·射频溅射原理 | 第26-30页 |
| ·辉光放电 | 第26-28页 |
| ·溅射机理 | 第28-30页 |
| ·溅射镀膜 | 第30-31页 |
| ·溅射镀膜的特点 | 第30-31页 |
| ·溅射膜的结构 | 第31页 |
| ·射频溅射系统 | 第31-33页 |
| ·实验过程 | 第33-35页 |
| ·衬底清洗 | 第33-34页 |
| ·样品制备 | 第34页 |
| ·样品测试 | 第34-35页 |
| 第4章 高立方相含量氮化硼薄膜的制备 | 第35-46页 |
| ·衬底温度的影响 | 第35-38页 |
| ·实验 | 第35-36页 |
| ·结果和讨论 | 第36-38页 |
| ·衬底材料的选择和预处理 | 第38-39页 |
| ·衬底材料的选择 | 第38-39页 |
| ·衬底的预处理 | 第39页 |
| ·基底偏压的影响 | 第39-41页 |
| ·实验 | 第39页 |
| ·结果和讨论 | 第39-41页 |
| ·不同电阻率 Si衬底的影响 | 第41页 |
| ·样品物性分析 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 p-Si/n-BN异质结特性研究 | 第46-51页 |
| ·实验 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第6章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
