| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-22页 |
| §1.1 纳米材料 | 第10-11页 |
| §1.2 复合纳米材料 | 第11-12页 |
| §1.3 纳米硅材料 | 第12-13页 |
| §1.4 硅基纳米复合体系 | 第13页 |
| §1.5 利用硅模板制备硅基纳米体系 | 第13-15页 |
| §1.6 金属／多孔硅复合体系 | 第15-16页 |
| §1.7 金属／多孔硅复合体系退火过程研究 | 第16-17页 |
| §1.8 金属／多孔硅复合体系电学性能研究 | 第17-19页 |
| §1.8.1 金属／半导体概述 | 第17-18页 |
| §1.8.2 含金属／硅基复合结构I-V电学特性的测试方法 | 第18-19页 |
| §1.9 开题思想 | 第19-21页 |
| §1.10 本论文研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 银／硅纳米孔柱阵列复合体系的制备与结构 | 第22-38页 |
| §2.1 引言 | 第22页 |
| §2.2 Si-NPA及Ag/Si-NPA的表征方法 | 第22-23页 |
| §2-3 硅纳米孔柱阵列(Si-NPA) | 第23-27页 |
| §2.3.1 Si-NPA的制备 | 第23页 |
| §2.3.2 Si-NPA的微观形貌和结构 | 第23-25页 |
| §2.3.3 Si-NPA表面成分分析 | 第25-27页 |
| §2.3.4 小结 | 第27页 |
| §2.4 银／硅纳米孔柱阵列(Ag/Si-NPA) | 第27-36页 |
| §2.4.1 Ag/Si-NPA的制备 | 第27页 |
| §2.4.2 不同表面状况衬底得到的Ag/Si-NPA的表面形貌和结构 | 第27-30页 |
| §2.4.3 银的浸渍沉积时间对制得的Ag/Si-NPA表面形貌结构的影响 | 第30-32页 |
| §2.4.4 结果分析 | 第32-36页 |
| §2.4.5 小结 | 第36页 |
| §2.5 本章总结 | 第36-38页 |
| 第三章 铜、银／硅纳米孔柱阵列复合体系退火过程研究 | 第38-49页 |
| §3.1 引言 | 第38-39页 |
| §3.2 Cu、Ag/Si-NPA的表征方法 | 第39页 |
| §3.3 Cu、Ag/Si-NPA复合体系的制备 | 第39页 |
| §3.4 Cu／Si-NPA退火过程研究 | 第39-45页 |
| §3.4.1 Cu／Si-NPA退火前后的形貌和结构 | 第39-41页 |
| §3.4.2 结果分析 | 第41-45页 |
| §3.4.3 小结 | 第45页 |
| §3.5 Ag/Si-NPA退火过程研究 | 第45-48页 |
| §3.5.1 Ag/Si-NPA退火前后的形貌和结构 | 第45-46页 |
| §3.5.2 结果分析 | 第46-48页 |
| §3.5.3 小结 | 第48页 |
| §3.6 本章总结 | 第48-49页 |
| 第四章 银／硅纳米孔柱阵列电学特性研究 | 第49-61页 |
| §4.1 引言 | 第49-51页 |
| §4.1.1 金属／多孔硅电学特性研究概述 | 第49-50页 |
| §4.1.2 肖特基势垒的电流输运机制 | 第50-51页 |
| §4.2 Ag/Si-NPA复合结构的制备及表征 | 第51-52页 |
| §4.3 Ag/Si-NPA复合结构电学测试 | 第52-60页 |
| §4.3.1 B类衬底得到的Ag/Si-NPA电学测试 | 第52-55页 |
| §4.3.2 C类衬底得到的Ag/Si-NPA电学测试 | 第55-59页 |
| §4.3.3 浸渍沉积时间对电学特性的影响 | 第59-60页 |
| §4.4 本章总结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-76页 |
| 后记 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
