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经典信号作用下介观电路量子相位影响的研究

摘要第1-3页
Abstract第3-5页
第一章 介观电路的单电子隧穿效应第5-10页
 §1.1 单电子隧穿第5-6页
 §1.2 介观系统简介第6-9页
 参考文献第9-10页
第二章 外加直流电源对单电子隧道效应的影响第10-30页
 §2.1 电容隧道结的量子耦合能第10-12页
 §2.2 直流电源作用下的介观LC电路第12-17页
 §2.3 交流电源作用下的介观LC电路的几何相位第17-22页
 §2.4 交流电源作用下的介观耗散LC电路的几何相位第22-29页
 参考文献第29-30页
第三章 交流源作用下的介观耦合电路的量子相位第30-47页
 §3.1 介观电容耦合电路的哈密顿第30-31页
 §3.2 厄密不变量第31-33页
 §3.3 时间演化算符第33-34页
 §3.4 量子涨落与压缩效应第34-46页
 参考文献第46-47页
第四章 结论与展望第47-49页
独创性声明第49页
关于论文使用授权的说明第49-50页
致谢第50-51页
研究生期间发表的论文与参加的研究项目第51页

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