摘要 | 第1-3页 |
Abstract | 第3-5页 |
第一章 介观电路的单电子隧穿效应 | 第5-10页 |
§1.1 单电子隧穿 | 第5-6页 |
§1.2 介观系统简介 | 第6-9页 |
参考文献 | 第9-10页 |
第二章 外加直流电源对单电子隧道效应的影响 | 第10-30页 |
§2.1 电容隧道结的量子耦合能 | 第10-12页 |
§2.2 直流电源作用下的介观LC电路 | 第12-17页 |
§2.3 交流电源作用下的介观LC电路的几何相位 | 第17-22页 |
§2.4 交流电源作用下的介观耗散LC电路的几何相位 | 第22-29页 |
参考文献 | 第29-30页 |
第三章 交流源作用下的介观耦合电路的量子相位 | 第30-47页 |
§3.1 介观电容耦合电路的哈密顿 | 第30-31页 |
§3.2 厄密不变量 | 第31-33页 |
§3.3 时间演化算符 | 第33-34页 |
§3.4 量子涨落与压缩效应 | 第34-46页 |
参考文献 | 第46-47页 |
第四章 结论与展望 | 第47-49页 |
独创性声明 | 第49页 |
关于论文使用授权的说明 | 第49-50页 |
致谢 | 第50-51页 |
研究生期间发表的论文与参加的研究项目 | 第51页 |