| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 单电子器件概述 | 第9-18页 |
| 1．1 单电子器件的基本概念及特点 | 第9-11页 |
| 1．2 单电子器件的发展历史与制作工艺 | 第11-17页 |
| 1．3 本文的结构安排 | 第17-18页 |
| 第二章 单电子器件的数值模拟方法 | 第18-30页 |
| 2．1 单隧道结隧穿几率 | 第18-24页 |
| 2．2 电子隧穿过程中的典型能量 | 第24-25页 |
| 2．3 Master Equatinn数值模拟方法 | 第25-27页 |
| 2．4 Monte Carlo数值模拟方法 | 第27-30页 |
| 第三章 典型单电子器件的Monte Carlo模拟 | 第30-61页 |
| 3．1 单电子三极管 | 第30-38页 |
| 3．2 单电子存储器 | 第38-56页 |
| 3．2．1 多隧道结型动态存储器 | 第38-47页 |
| 3．2．2 对称陷阱型动态存储器 | 第47-51页 |
| 3．2．3 环型动态存储器 | 第51-56页 |
| 3．3 单电子加法器 | 第56-61页 |
| 3．3．1 单电子加法器的结构分析 | 第56-57页 |
| 3．3．2 单电子加法器的数值模拟 | 第57-61页 |
| 第四章 单电子器件的宏观模型 | 第61-72页 |
| 4．1 SPICE软件简介 | 第61-64页 |
| 4．2 Yun Seop Yu等人提出的 SET宏观模型 | 第64-66页 |
| 4．3 新的SET的SPICE宏观模型 | 第66-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-74页 |
| 附录 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
