| 目录 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| 关键词 | 第7-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-16页 |
| ·气相外延生长单晶硅理论研究的重要意义 | 第8-9页 |
| ·气相外延生长单晶硅的研究现状 | 第9-13页 |
| 1 实验研究现状 | 第9-11页 |
| 2 理论研究现状 | 第11-13页 |
| ·展望 | 第13页 |
| ·本论文工作 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第16-31页 |
| ·组态相互作用理论 | 第18-19页 |
| ·微扰理论 | 第19-21页 |
| ·密度泛函理论 | 第21-23页 |
| ·反应速率常数理论 | 第23-24页 |
| ·振动频率的计算 | 第24-25页 |
| 1 谐振频率的计算 | 第24-25页 |
| 2 零点振动能 | 第25页 |
| ·化学反应过渡态的计算方法 | 第25-29页 |
| 1 化学反应过渡态的数学模型 | 第26-27页 |
| 2 过渡态的计算方法 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 SiHCl_3／H_2气相反应机理的理论研究 | 第31-41页 |
| ·计算方法 | 第31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-37页 |
| 1 反应机理分析 | 第31-35页 |
| 2 沿反应途径能量的变化 | 第35-37页 |
| ·速率常数的计算 | 第37-38页 |
| ·结论 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第四章 SiHCl_3／H_2在衬底表面上反应机理的理论研究 | 第41-54页 |
| ·计算方法 | 第41-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-52页 |
| ·加入Si_1 | 第42-44页 |
| 1 反应机理分析 | 第42-43页 |
| 2 沿反应途径能量的变化 | 第43-44页 |
| 3 反应速率常数的计算 | 第44页 |
| ·加入Si_2 | 第44-47页 |
| 1 反应机理分析 | 第44-46页 |
| 2 沿反应途径能量的变化 | 第46页 |
| 3 反应速率常数的计算 | 第46-47页 |
| ·加入Si_9H_(12) | 第47-52页 |
| 1 反应机理分析 | 第47-50页 |
| 2 沿反应途径能量的变化 | 第50页 |
| 3 反应速率常数的计算 | 第50-52页 |
| ·结论 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第五章 SiCl_2／H_2反应生成单晶硅的理论研究 | 第54-62页 |
| ·计算方法 | 第54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-60页 |
| ·SiCl_2／H_2在气相中的反应 | 第55-57页 |
| 1 反应机理分析 | 第55-56页 |
| 2 沿反应途径能量的变化 | 第56页 |
| 3 反应速率常数的计算 | 第56-57页 |
| ·SiCl_2／H_2在衬底上的反应 | 第57-60页 |
| 1 反应机理分析 | 第57-59页 |
| 2 沿反应途径能量的变化 | 第59页 |
| 3 反应速率常数的计算 | 第59-60页 |
| ·结论 | 第60-62页 |
| 第六章 总结 | 第62-64页 |
| 英文摘要 | 第64-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
