| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-9页 |
| 第二章 综述 | 第9-33页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·硅中的氧 | 第10-18页 |
| ·硅中氧的引入及其基本性质 | 第10-12页 |
| ·硅中的氧沉淀 | 第12-17页 |
| ·氧沉淀诱生缺陷的形成及性质 | 第17-18页 |
| ·氧沉淀及其诱生缺陷的表征技术 | 第18页 |
| ·掺氮直拉硅单晶研究进展 | 第18-20页 |
| ·氧化诱生层错(OSFs)及OSF-Ring的形成 | 第20-25页 |
| ·氧化诱生层错的形成及氧化工艺 | 第20-23页 |
| ·OSF-Ring的形成 | 第23-24页 |
| ·空位型缺陷的形成及性质 | 第24-25页 |
| ·快速热处理(Rapid Thermal Processing，RTP) | 第25-26页 |
| ·硅中铜的基本性质 | 第26-30页 |
| ·电子束诱生电流仪(Electron Beam Induced Current，EBIC)及其应用 | 第30-33页 |
| ·EBIC技术原理 | 第30-31页 |
| ·EBIC技术的应用 | 第31-33页 |
| 第三章 实验设计及实验设备 | 第33-37页 |
| ·实验设计 | 第33页 |
| ·实验设备 | 第33-34页 |
| ·傅立叶红外光谱(Fourier Transform Infrared Spectroscopy，FTIR)测定硅中氧 | 第34-35页 |
| ·扩展电阻探针(Spreading Resistance Probe，SRP) | 第35-37页 |
| 第四章 掺氮直拉单晶硅在中高温单步热处理中氧沉淀形成及其热稳定性研究 | 第37-52页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验方案 | 第38-39页 |
| ·中高温单步长时间退火后氧沉淀的行为 | 第39-43页 |
| ·800℃／225h，1000℃／225h处理后的氧沉淀(FTIR、BMD分析) | 第39-40页 |
| ·800℃／225h，1000℃／225h处理后的氧沉淀(TEM分析) | 第40-43页 |
| ·中高温长时间单步退火后氧沉淀热稳定性的研究 | 第43-48页 |
| ·常规热处理研究氧沉淀的热稳定性 | 第43-45页 |
| ·高温RTP研究氧沉淀的热稳定性 | 第45-47页 |
| ·氧在RTP过程中外扩散行为的研究 | 第47-48页 |
| ·中高温长时间单步退火对氧化诱生层错(OSFs)的影响 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 第五章 高温RTP研究8英寸硅片中氧沉淀及其诱生缺陷的热稳定性 | 第52-56页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·实验方案 | 第52页 |
| ·650℃／32h+1050℃／32h处理后，氧沉淀及其诱生缺陷的热稳定性 | 第52-54页 |
| ·1050℃／32h+1150℃／100min湿氧氧化后，OSFs的热稳定性研究 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第六章 掺氮直拉单晶硅氧化诱生层错行为的研究 | 第56-69页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·实验方案 | 第57页 |
| ·单步退火后，NCZ-Si中氧沉淀及OSFs行为的研究 | 第57-65页 |
| ·750℃、850℃单步退火后氧沉淀及OSFs行为研究 | 第57-59页 |
| ·950℃单步退火后的氧沉淀行为研究 | 第59页 |
| ·1050℃单步退火后氧沉淀及OSFs行为研究 | 第59-61页 |
| ·1150℃单步退火后氧沉淀及OSFs行为研究 | 第61-64页 |
| ·小结:单步退火过程中NCZ-Si中氧沉淀及OSFs的形成规律 | 第64-65页 |
| ·低-高两步退火后，NCZ-Si中氧沉淀及OSFs行为的研究 | 第65-69页 |
| ·不同温度低温退火对NCZ-Si中氧沉淀的影响 | 第65-66页 |
| ·不同温度低温退火对NCZ-Si中OSFs的影响 | 第66-68页 |
| ·小结:低-高退火过程的中NCZ-Si中氧沉淀及OSFs的形成规律 | 第68-69页 |
| 第七章 直拉单晶硅中氧沉淀诱生缺陷的Cu吸杂行为研究 | 第69-81页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·实验过程 | 第70-71页 |
| ·实验结果 | 第71-77页 |
| ·800℃／225h处理后CZ-Si和NCZ-Si中氧沉淀诱生缺陷的Cu吸杂 | 第71-72页 |
| ·800℃／225h+1250℃／2h处理CZ-Si和NCZ-Si中氧沉淀诱生缺陷的Cu吸杂 | 第72-74页 |
| ·750℃／16h+1050℃／32h处理后CZ-Si中氧沉淀诱生缺陷的Cu吸杂 | 第74-77页 |
| ·讨论 | 第77-80页 |
| ·小结 | 第80-81页 |
| 第八章 总结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-92页 |
| 在读期间发表论文 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93页 |
