高质量DKDP晶体生长及其电光性质研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1．1 引言 | 第9-13页 |
| 1．1．1 现代激光技术领域需要高质量晶体 | 第9-10页 |
| 1．1．2 DKDP晶体主要性能参数 | 第10-11页 |
| 1．1．3 DKDP晶体生长及电光性能研究进展 | 第11-13页 |
| 1．2 问题的提出 | 第13-17页 |
| 1．2．1 晶体质量的表征方法 | 第13-14页 |
| 1．2．2 晶体中缺陷的形成 | 第14-15页 |
| 1．2．3 溶液稳定性的研究 | 第15-16页 |
| 1．2．4 氘含量与晶体性能的关系 | 第16-17页 |
| 1．3 研究思路 | 第17-19页 |
| 1．3．1 研究目的 | 第17页 |
| 1．3．2 研究内容与方法 | 第17-19页 |
| 第2章 原料合成与溶液配制 | 第19-24页 |
| 2．1 原料合成阶段需要注意的问题 | 第19-20页 |
| 2．1．1 试剂的纯度 | 第19页 |
| 2．1．2 实验环境的维护 | 第19-20页 |
| 2．2 反应所需试剂的配比计算 | 第20-21页 |
| 2．3 合成步骤与合成生长液的杂质检测 | 第21-23页 |
| 2．3．1 生长溶液合成步骤 | 第21-22页 |
| 2．3．2 合成生长液的杂质检测 | 第22-23页 |
| 2．4 结果与讨论 | 第23-24页 |
| 第3章 溶液稳定性研究 | 第24-30页 |
| 3．1 溶液稳定性对晶体生长的重要影响 | 第24-25页 |
| 3．2 溶液稳定性的影响因素 | 第25-29页 |
| 3．2．1 过滤处理 | 第26-27页 |
| 3．2．2 饱和点 | 第27-28页 |
| 3．2．3 过饱和度 | 第28-29页 |
| 3．3 小结 | 第29-30页 |
| 第4章 DKDP晶体生长研究 | 第30-51页 |
| 4．1 DKDP点状籽晶生长原理 | 第30-34页 |
| 4．1．1 DKDP晶体四方亚稳相生长热力学原理 | 第30-31页 |
| 4．1．2 DKDP晶体点状籽晶生长微观机制 | 第31-34页 |
| 4．2 晶体生长设备 | 第34-36页 |
| 4．3 晶体生长步骤 | 第36-40页 |
| 4．3．1 点状籽晶的制备与固定 | 第36页 |
| 4．3．2 溶液的处理 | 第36-37页 |
| 4．3．3 饱和点的测定 | 第37-38页 |
| 4．3．4 降温曲线的拟合 | 第38-39页 |
| 4．3．5 晶体生长 | 第39-40页 |
| 4．4 晶体生长中的问题与讨论 | 第40-50页 |
| 4．4．1 生长速度和溶液纯度与晶体质量的关系 | 第40-45页 |
| 4．4．1．1 不同纯度的溶液生长晶体 | 第42-43页 |
| 4．4．1．2 不同速度生长晶体 | 第43-45页 |
| 4．4．2 杂质的干扰 | 第45-48页 |
| 4．4．3 点状籽晶生长中的缺陷分析 | 第48-50页 |
| 4．5 小结 | 第50-51页 |
| 第5章 DKDP晶体电光性能研究与应用 | 第51-59页 |
| 5．1 DKDP晶体电光性能研究 | 第51-56页 |
| 5．1．1 电光效应的基本原理 | 第51-55页 |
| 5．1．2 电光性能的影响因素 | 第55-56页 |
| 5．2 电光性能的应用 | 第56-58页 |
| 5．2．1 器件的设计 | 第56-58页 |
| 5．2．1．1 普克尔盒的工作原理及实际应用 | 第57页 |
| 5．2．1．2 普克尔盒的结构及加工 | 第57-58页 |
| 5．3 小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
