“或记电路”与记忆电路的优化设计研究
| 目录 | 第1-3页 |
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第5-7页 |
| 第二章 稳记电路与或记论 | 第7-35页 |
| 2．1 或记电路简介 | 第7-10页 |
| 2．2 一个门实现的RS触发器 | 第10-19页 |
| 2．2．1 单门结构RS触发器的仿真和分析 | 第10-16页 |
| 2．2．2 讨论 | 第16-19页 |
| 2．3 或记门实现单元电路的实验和讨论 | 第19-27页 |
| 2．3．1 用或记门实现的维-阻D触发器 | 第20-23页 |
| 2．3．2 仿真分析和讨论 | 第23-27页 |
| 2．4 工艺问题 | 第27-34页 |
| 2．4．1 CMOS反相器与阀值电压 | 第27-30页 |
| 2．4．2 MOS管的串／并联与阀值电压 | 第30-32页 |
| 2．4．3 与工艺有关的问题 | 第32-34页 |
| 2．5 小结 | 第34-35页 |
| 第三章 暂记电路与或记论 | 第35-44页 |
| 3．1 定时三要素——电阻R，电容C，电平Vt | 第35-39页 |
| 3．2 定时三要素的应用 | 第39-43页 |
| 3．2．1 CMOS电压控制的可变电阻 | 第39-40页 |
| 3．2．2 用有源电阻实现的定时分频电路 | 第40-43页 |
| 3．3 小结 | 第43-44页 |
| 第四章 仿真工具 | 第44-54页 |
| 4．1 三种仿真软件在使用中的对比 | 第44-48页 |
| 4．2 ORCAD／PSPICE9新器件的创建 | 第48-53页 |
| 4．3 小结 | 第53-54页 |
| 第五章 后记 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献： | 第57-59页 |
| 附录 | 第59-61页 |
