| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 1 引言 | 第10-32页 |
| ·窄带隙半导体光催化剂的研究背景 | 第10-11页 |
| ·窄带隙半导体光催化剂的催化原理 | 第11-13页 |
| ·可见光响应光催化剂的合成研究进展 | 第13-17页 |
| ·改性TiO_2光催化剂 | 第14页 |
| ·硫化物 | 第14-15页 |
| ·氮氧化物 | 第15页 |
| ·钒酸盐 | 第15-16页 |
| ·铁酸盐 | 第16页 |
| ·钛酸盐 | 第16-17页 |
| ·窄带隙半导体光催化剂的组成结构及性能应用 | 第17-27页 |
| ·半导体光催化剂的催化性能与应用 | 第17-18页 |
| ·元素组成对光催化性能的影响 | 第18-21页 |
| ·固溶组成对光催化性能的影响 | 第21-22页 |
| ·材料微结构对光催化性能的影响 | 第22-23页 |
| ·微观表面结构对光催化性能的影响 | 第23-26页 |
| ·其他因素对光催化性能的影响 | 第26-27页 |
| ·窄带隙半导体光催化剂的制备方法 | 第27-30页 |
| ·固相法 | 第27页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第27-28页 |
| ·化学水浴沉淀法 | 第28-29页 |
| ·微乳液法 | 第29页 |
| ·水热法 | 第29-30页 |
| ·问题的提出及本文工作 | 第30-32页 |
| 2 实验方法 | 第32-40页 |
| ·实验方法和依据 | 第32-33页 |
| ·样品的制备 | 第33-34页 |
| ·主要原料 | 第33页 |
| ·样品的制备 | 第33-34页 |
| ·样品的表征方法 | 第34-35页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第34页 |
| ·电子扫描电镜(SEM) | 第34页 |
| ·漫反射谱(DRS) | 第34页 |
| ·紫外-可见光谱(UV-Vis) | 第34-35页 |
| ·光催化活性的测试与表征方法 | 第35-40页 |
| ·光催化实验反应装置与灯源发光谱 | 第35-37页 |
| ·降解底物甲基橙的标准曲线 | 第37-38页 |
| ·光催化实验方法与步骤 | 第38-40页 |
| 3 可见光响应型改性TiO_2催化剂的制备及性能表征 | 第40-50页 |
| ·可见光响应型改性TiO_2催化剂的研究背景 | 第40页 |
| ·实验方法与性能表征 | 第40-41页 |
| ·制备过程及条件控制 | 第40-41页 |
| ·表征方法 | 第41页 |
| ·结果和讨论 | 第41-48页 |
| ·表面有机改性TiO_2的特性及性能研究 | 第41-44页 |
| ·碳复合C/TiO_2催化剂的特性及性能研究 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 4 BiVO_4的水热制备及其结构与性能表征 | 第50-66页 |
| ·引言 | 第50-52页 |
| ·BiVO_4的光催化性能及研究背景 | 第50-51页 |
| ·BiVO_4的合成方法 | 第51页 |
| ·本文工作 | 第51-52页 |
| ·实验方法与性能表征 | 第52-53页 |
| ·制备过程及条件控制 | 第52页 |
| ·表征方法 | 第52-53页 |
| ·结果和讨论 | 第53-64页 |
| ·pH值对样品合成的影响 | 第53-57页 |
| ·反应温度对样品合成的影响 | 第57-60页 |
| ·BiVO_4样品的混晶效应 | 第60-62页 |
| ·BiVO_4的可见光光催化性能 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 5 YFeO_3的水热制备及其结构与性能表征 | 第66-78页 |
| ·引言 | 第66-68页 |
| ·YFeO_3的研究背景 | 第66页 |
| ·YFeO_3的光催化性能 | 第66-67页 |
| ·本文工作 | 第67-68页 |
| ·实验方法与性能表征 | 第68-69页 |
| ·制备过程及条件控制 | 第68页 |
| ·表征方法 | 第68-69页 |
| ·结果和讨论 | 第69-77页 |
| ·不同溶剂对样品合成的影响 | 第69-70页 |
| ·过滤操作对样品合成的影响 | 第70-72页 |
| ·反应温度对样品合成的影响 | 第72-73页 |
| ·样品的SEM图谱 | 第73-74页 |
| ·样品的漫反射吸收谱 | 第74-75页 |
| ·可见光催化性能测试 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 6 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-90页 |
| 附件I 硕士期间发表及提交的论文 | 第90-92页 |
| 附件II 致谢 | 第92页 |