| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| 1 磁电阻效应简介 | 第10-11页 |
| 2 非磁性半导体的异常磁电阻效应 | 第11-15页 |
| 3 异常磁电阻的几何增强 | 第15-23页 |
| 4 本文的主要工作 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第二章 两相对称结构的异常磁电阻效应 | 第27-40页 |
| 1 基本模型 | 第27-29页 |
| 2 对偶原理 | 第29-33页 |
| 3 计算结果 | 第33-38页 |
| ·固定取向 | 第33-36页 |
| ·无规取向 | 第36-38页 |
| 4 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第三章 两相非对称结构的异常磁电阻效应 | 第40-50页 |
| 1 基本模型 | 第40-42页 |
| 2 非对称构型的逾渗阈值 | 第42-44页 |
| 3 计算结果 | 第44-48页 |
| ·固定取向 | 第45-47页 |
| ·无规取向 | 第47-48页 |
| 4 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第四章 结论 | 第50-52页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |