| 中文摘要 | 第1-9页 |
| 英文摘要 | 第9-11页 |
| 符号说明 | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-35页 |
| §1.1 引言 | 第12页 |
| §1.2 碳化硅的研究进展概述 | 第12-23页 |
| §1.2.1 碳化硅的结构及分类 | 第12-14页 |
| §1.2.2 碳化硅材料的基本性能 | 第14-17页 |
| §1.2.3 碳化硅材料的用途 | 第17-19页 |
| §1.2.4 一维碳化硅纳米材料的制备方法 | 第19-23页 |
| §1.3 碳化钛的研究进展概述 | 第23-28页 |
| §1.3.1 碳化钛材料简介 | 第23-24页 |
| §1.3.2 碳化钛材料的用途 | 第24-26页 |
| §1.3.3 碳化钛纳米材料的制备方法 | 第26-28页 |
| §1.4 本论文的选题背景和研究内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-35页 |
| 第二章 碳化硅纳米线的制备与表征 | 第35-44页 |
| §2.1 引言 | 第35页 |
| §2.2 反应路线设计 | 第35页 |
| §2.3 实验部分 | 第35-36页 |
| §2.4 实验结果与讨论 | 第36-41页 |
| §2.4.1 样品的物相和纯度分析 | 第36-37页 |
| §2.4.2 样品的形貌和微结构分析 | 第37-38页 |
| §2.4.3 一维SiC结构可能的生长过程及形成机理探讨 | 第38-41页 |
| §2.5 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 碳化钛纳米空心球的制备与表征 | 第44-55页 |
| §3.1 引言 | 第44页 |
| §3.2 反应路线设计 | 第44页 |
| §3.3 实验部分 | 第44-45页 |
| §3.4 实验结果与讨论 | 第45-53页 |
| §3.4.1 样品的物相和纯度分析 | 第45-47页 |
| §3.4.2 样品的形貌和微结构分析 | 第47-50页 |
| §3.4.3 氮吸附-脱附等温线的测定 | 第50页 |
| §3.4.4 TiC空心球可能的生长过程及形成机理探讨 | 第50-53页 |
| §3.5 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 附录:攻读硕士学位期间发表的论文 | 第56-57页 |
| High-yield Synthesis of Single-crystalline 3C-SiC Nanowires by a Facile Autoclave Route | 第57-66页 |
| Synthesis of uniform TiC hollow spheres by a co-reduction route at low temperature | 第66-82页 |
| Sulfur-assisted approach for the low temperature synthesis of 3C-SiC nanowires | 第82-98页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第98页 |
