| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| ·钛硅分子筛 | 第11-15页 |
| ·钛硅分子筛概述 | 第11-12页 |
| ·钛硅分子筛TS-1 的合成概况 | 第12-15页 |
| ·水热合成法 | 第12-15页 |
| ·气固相同晶取代法 | 第15页 |
| ·微波辐射法 | 第15页 |
| ·取向沸石膜 | 第15-21页 |
| ·取向沸石分子筛膜概述 | 第15-16页 |
| ·影响取向沸石膜合成的条件 | 第16-19页 |
| ·取向沸石分子筛膜的形成机理 | 第19-21页 |
| ·钛硅分子筛（TS-1）膜 | 第21-30页 |
| ·TS-1 分子筛膜概述 | 第21-22页 |
| ·TS-1 分子筛膜的制备方法 | 第22-26页 |
| ·原位水热合成法 | 第22-23页 |
| ·二次生长法 | 第23-24页 |
| ·微波辐射法 | 第24页 |
| ·化学气相沉积法（CVD） | 第24-25页 |
| ·脉冲激光蒸镀法(PLD) | 第25页 |
| ·电泳沉积法（EPD） | 第25-26页 |
| ·制备方法的评价 | 第26页 |
| ·TS-1 分子筛膜的表征 | 第26-29页 |
| ·X-射线衍射（XRD） | 第26-27页 |
| ·极图衍射 | 第27页 |
| ·扫描/透射电子显微镜子（SEM/TEM） | 第27页 |
| ·傅立叶红外光谱测试仪（FT-IR） | 第27页 |
| ·紫外可见反射光谱测试仪（UV-Vis） | 第27-28页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第28页 |
| ·电子探针显微分析 | 第28页 |
| ·X-射线光电子能谱 | 第28-29页 |
| ·TS-1 分子筛膜研究存在的问题 | 第29-30页 |
| ·课题选择与研究内容 | 第30-31页 |
| 第二章 以壳聚糖为引导剂制备b轴取向TS-1 膜 | 第31-53页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·实验部分 | 第32-36页 |
| ·原料 | 第32-33页 |
| ·仪器及设备 | 第33-34页 |
| ·α-氧化铝载体的制备和预处理 | 第34页 |
| ·氧化锆中间层的制备 | 第34-35页 |
| ·壳聚糖层的制备 | 第35页 |
| ·钛硅分子筛（TS-1）膜的制备 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-51页 |
| ·表征所用仪器 | 第36-37页 |
| ·载体的表征 | 第37-39页 |
| ·氧化铝的表征 | 第37-38页 |
| ·氧化锆过渡层的表征 | 第38-39页 |
| ·壳聚糖修饰层的表征 | 第39页 |
| ·TS-1 分子筛膜的表征 | 第39-50页 |
| ·方案一所得样品的SEM照片 | 第39-40页 |
| ·方案一所得样品的XRD | 第40-41页 |
| ·方案二所得样品的SEM | 第41-42页 |
| ·方案二所制样品的XRD | 第42-43页 |
| ·方案三所制样品的SEM | 第43-45页 |
| ·方案三所制样品的XRD | 第45页 |
| ·方案四所制样品的SEM | 第45-46页 |
| ·样品S-C3 的极图分析 | 第46-47页 |
| ·样品S-C3 的FT-IR谱图 | 第47-48页 |
| ·样品S-C3 的UV-Vis光谱 | 第48-50页 |
| ·样品S-C3 的X射线能谱（EDX） | 第50页 |
| ·壳聚糖膜的全反射傅立叶变换红外光谱 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-53页 |
| 第三章 以壳聚糖为引导剂b轴取向TS-1 膜生成机理的研究 | 第53-65页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·实验部分 | 第54-55页 |
| ·原料与设备 | 第54页 |
| ·TS-1 膜的制备 | 第54页 |
| ·酸碱滴定、电子探针显微分析、原子力以及接触角的测定过程 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-63页 |
| ·表征所用仪器 | 第55页 |
| ·TS-1 扫描电镜（SEM）照片 | 第55-57页 |
| ·酸碱滴定 | 第57页 |
| ·接触角 | 第57-58页 |
| ·原子力（AFM） | 第58-59页 |
| ·电子探针显微分析（EPMA） | 第59-61页 |
| ·X-射线能谱分析（EDX） | 第61-62页 |
| ·在壳聚糖修饰的α-氧化铝载体上b轴取向TS-1 膜的形成机理 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第四章 以TiCl_3为钛源TS-1 分子筛膜的制备 | 第65-74页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·实验部分 | 第66-67页 |
| ·原料与设备 | 第66页 |
| ·四丙基氢氧化铵（TPAOH）的制备 | 第66页 |
| ·钛硅分子筛TS-1 膜的制备 | 第66-67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-73页 |
| ·表征所用仪器 | 第67页 |
| ·一次原位晶化样品的表征 | 第67-69页 |
| ·X-射线衍射（XRD）谱图 | 第67-68页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）照片 | 第68-69页 |
| ·二次原位晶化制得样品的表征 | 第69-73页 |
| ·X-射线衍射（XRD）谱图 | 第69页 |
| ·扫描电镜（SEM）照片 | 第69-70页 |
| ·傅立叶变换红外光谱（FT-IR） | 第70-71页 |
| ·紫外－可见光谱图（UV-Vis） | 第71-72页 |
| ·X-射线能谱（EDX）分析 | 第72-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 第五章 以微波辐射法制备TS-1 分子筛膜 | 第74-93页 |
| ·前言 | 第74-75页 |
| ·实验部分 | 第75-77页 |
| ·原料与设备 | 第75页 |
| ·晶种层的制备 | 第75-77页 |
| ·晶种的制备 | 第75页 |
| ·晶种的担载和焙烧 | 第75-76页 |
| ·TS-1 膜的制备 | 第76-77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-91页 |
| ·表征所用仪器 | 第77页 |
| ·微波辐射晶化法所得TS-1 膜的表征 | 第77-80页 |
| ·低模板剂含量配方制得膜的表征 | 第77-79页 |
| ·TS-1 膜的X-射线衍射分析（XRD） | 第77-78页 |
| ·釜底颗粒的傅立叶变换红外光谱（FT-IR） | 第78-79页 |
| ·高模板剂含量配方制得TS-I膜的表征 | 第79-80页 |
| ·TS-1 膜的X-射线衍射分析（XRD） | 第79-80页 |
| ·釜底颗粒的X-射线衍射分析（XRD） | 第80页 |
| ·二次生长－微波辐射加热法所得TS-1 膜的表征 | 第80-88页 |
| ·晶种的表征 | 第80-84页 |
| ·电感耦合等离子体发射光谱（ICP） | 第80-81页 |
| ·钛硅分子筛TS-1 的等电点 | 第81页 |
| ·扫描电镜（SEM）照片 | 第81-82页 |
| ·X-射线衍射（XRD）分析 | 第82页 |
| ·傅立叶变换红外光谱（FT-IR） | 第82-83页 |
| ·紫外－可见光谱（UV-Vis） | 第83-84页 |
| ·晶种层的表征 | 第84-85页 |
| ·扫描电镜（SEM）照片 | 第84页 |
| ·X-射线衍射（XRD）分析 | 第84-85页 |
| ·TS-1 膜的表征 | 第85-88页 |
| ·扫描电镜（SEM）照片 | 第85-86页 |
| ·X-射线衍射分析（XRD） | 第86页 |
| ·FT-IR光谱 | 第86-87页 |
| ·UV-Vis光谱 | 第87-88页 |
| ·X-射线能谱（EDX）分析 | 第88页 |
| ·原位老化－微波加热法合成的TS-1 膜的表征 | 第88-91页 |
| ·扫描电镜（SEM）照片 | 第88-89页 |
| ·X-射线衍射（XRD）分析 | 第89页 |
| ·FT-IR光谱 | 第89-90页 |
| ·UV-Vis光谱 | 第90-91页 |
| ·X-射线能谱（EDX）分析 | 第91页 |
| ·小结 | 第91-93页 |
| 第六章 钛硅分子筛TS-1 膜的应用 | 第93-98页 |
| ·引言 | 第93-94页 |
| ·实验部分 | 第94-95页 |
| ·原料 | 第94页 |
| ·仪器及设备 | 第94页 |
| ·多相催化膜反应器 | 第94-95页 |
| ·正己烷部分氧化反应 | 第95页 |
| ·结果与讨论 | 第95-97页 |
| ·表征所用仪器 | 第95-96页 |
| ·钛硅分子筛TS-1 膜的催化性能 | 第96-97页 |
| ·小结 | 第97-98页 |
| 第七章 结论 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-110页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111页 |
