| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-30页 |
| ·透明导电氧化物 | 第8-16页 |
| ·TCOs 薄膜的基本特性 | 第8-14页 |
| ·TCOs 薄膜制备方法 | 第14-16页 |
| ·弱局域效应 | 第16-23页 |
| ·无序系统的研究历史 | 第16-17页 |
| ·弱局域效应 | 第17-19页 |
| ·弱局域效应及相互作用效应研究进展 | 第19-23页 |
| ·第一性原理计算 | 第23-28页 |
| ·密度泛函理论 | 第23-26页 |
| ·固体光学常数间的基本关系 | 第26-27页 |
| ·TCOs 材料电子结构计算的研究进展 | 第27-28页 |
| ·本论文的工作 | 第28-30页 |
| 第二章 样品的制备、测量手段及理论计算方法 | 第30-35页 |
| ·样品的制备 | 第30-32页 |
| ·ITO 薄膜的制备 | 第30-31页 |
| ·B 掺杂的ZnO 薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·Al 掺杂的ZnO 薄膜的制备 | 第32页 |
| ·样品测量手段 | 第32-33页 |
| ·结构表征及价态分析 | 第32-33页 |
| ·光学性质测量 | 第33页 |
| ·电学性质测量 | 第33页 |
| ·计算方法 | 第33-35页 |
| 第三章 ITO 薄膜的结构、电输运性质及光学性质 | 第35-56页 |
| ·不同基片温度下制备的ITO 薄膜的物性 | 第35-50页 |
| ·结构特征 | 第35-36页 |
| ·原子价态 | 第36-37页 |
| ·电输运性质 | 第37-48页 |
| ·光学性质 | 第48-50页 |
| ·不同氧气压强下制备的ITO 薄膜的物性 | 第50-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 ZnO 基半导体的结构、电输运性质及光学性质 | 第56-87页 |
| ·ZnO:B 薄膜的结构、光学性质、电输运性质的实验研究 | 第56-68页 |
| ·ZnO:B 薄膜的结构 | 第56-57页 |
| ·ZnO:B 薄膜的低温电输运性质 | 第57-66页 |
| ·ZnO:B 薄膜的光学性质 | 第66-68页 |
| ·ZnO:Al 薄膜的结构和电输运性质的实验研究 | 第68-74页 |
| ·ZnO 基半导体的电子结构及光学性质的理论计算 | 第74-85页 |
| ·纯ZnO 的电子结构及光学性质 | 第74-79页 |
| ·B 掺杂的ZnO 的电子结构及光学性质 | 第79-83页 |
| ·Al 掺杂的ZnO 的电子结构及光学性质 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 第五章 TiO_2的电子结构和光学性质 | 第87-101页 |
| ·纯TiO_2的电子结构 | 第87-91页 |
| ·Nb 掺杂TiO_2 的电子结构 | 第91-93页 |
| ·纯TiO_2和Nb 掺杂TiO_2的光学性质 | 第93-97页 |
| ·Ta 掺杂TiO_2的电子结构及光学性质 | 第97-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 第六章 结论 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-121页 |
| 攻读博士期间完成的学术论文 | 第121-122页 |
| 致谢 | 第122页 |