应力作用下的SiO2介电特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·课题的来源及意义 | 第8页 |
| ·压力微传感器概述 | 第8-9页 |
| ·应力对介电特性影响的国内外研究现状 | 第9-13页 |
| ·国外研究现状 | 第10-12页 |
| ·国内研究现状 | 第12-13页 |
| ·本文的目标及主要工作 | 第13-15页 |
| 2 SiO_2介电特性受应力影响的原理分析 | 第15-28页 |
| ·应力介电效应 | 第15-19页 |
| ·介电电致伸缩效应 | 第15-16页 |
| ·弹电效应 | 第16-18页 |
| ·弹光效应 | 第18-19页 |
| ·介电电致伸缩系数的理论推导 | 第19-22页 |
| ·系数计算公式推导 | 第19-21页 |
| ·不同材料系数计算及分析 | 第21-22页 |
| ·SiO_2电容应力响应分析 | 第22-27页 |
| ·SiO_2电容结构和工艺 | 第22-25页 |
| ·电容变化值公式推导 | 第25-26页 |
| ·几何形变部分 | 第26-27页 |
| ·介电常数变化部分 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3 SiO_2介电特性的实验研究 | 第28-51页 |
| ·气压加载实验 | 第28-31页 |
| ·测试样品和测量装置 | 第28-30页 |
| ·实验结果及分析 | 第30-31页 |
| ·横向应力加载实验 | 第31-41页 |
| ·加载原理分析 | 第31-32页 |
| ·测试样品和装置 | 第32-35页 |
| ·实验结果及分析 | 第35-41页 |
| ·纵向应力加载实验 | 第41-49页 |
| ·纵向应力测试样品制备 | 第41页 |
| ·纵向应力测试原理分析 | 第41-42页 |
| ·实验测量及结果分析 | 第42-49页 |
| ·四点加载方案 | 第49-50页 |
| ·本章小节 | 第50-51页 |
| 4 基于FPGA的电容测量系统 | 第51-65页 |
| ·电容测量的不同方法 | 第51页 |
| ·测量目的及原理 | 第51-54页 |
| ·测试系统硬件及软件 | 第54-61页 |
| ·A/D转换控制模块 | 第55-57页 |
| ·采样控制模块 | 第57-58页 |
| ·LCD显示控制模块 | 第58-59页 |
| ·防抖模块 | 第59-60页 |
| ·管脚配置 | 第60-61页 |
| ·系统验证及介电电致伸缩效应研究尝试 | 第61-64页 |
| ·测试系统框图 | 第61页 |
| ·充放电频率的确定及电容测量 | 第61-63页 |
| ·基于FPGA的纵向应力加载实验 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
