| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 一维纳米材料的可控液相合成的原理、方法 | 第11-45页 |
| ·可控液相合成纳米材料的基本原理 | 第11-13页 |
| ·成核生长的基本理论及纳米晶合成的动力学过程分析 | 第11-12页 |
| ·成核阶段的控制 | 第12-13页 |
| ·生长阶段的控制 | 第13页 |
| ·熟化过程的控制 | 第13页 |
| ·一维纳米材料的可控液相合成方法 | 第13-20页 |
| ·恒压液相反应方法 | 第14-16页 |
| ·非恒压液相反应途径 | 第16-18页 |
| ·自组装 | 第18-20页 |
| ·综合实验技术在液相制备中的运用 | 第20页 |
| ·非碳无机纳米管 | 第20-25页 |
| ·非碳无机纳米管合成的简述 | 第20-21页 |
| ·金属硫化物纳米管 | 第21-23页 |
| ·金属氧化物纳米管 | 第23-25页 |
| ·准一维材料液相合成的最新进展与展望 | 第25-32页 |
| ·尺寸控制 | 第25-28页 |
| ·动力学形貌控制 | 第28-32页 |
| ·一维纳米材料的性质及应用展望 | 第32-35页 |
| ·本论文的选题背景和研究内容 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-45页 |
| 第二章 NI(SO_4)_(0.3)(OH)_(1.4)纳米带的合成、性质及相应氧化物的形成 | 第45-68页 |
| ·导言 | 第45-47页 |
| ·实验部分 | 第47-48页 |
| ·Ni(SO_4)_(0.3)(OH)_(1.4)纳米带的制备 | 第47页 |
| ·Ni(SO_4)_(0.3)(OH)_(1.4)纳米带的结构表征 | 第47页 |
| ·Ni(SO_4)_(0.3)(OH)_(1.4)纳米带电极的制各 | 第47页 |
| ·Ni(SO_4)_(0.3)(OH)_(1.4)的电化学性能测试 | 第47-48页 |
| ·实验结果和讨论 | 第48-57页 |
| ·Ni(SO_4)_(0.3)(OH)_(1.4)纳米带的XRD,SEM和TEM结果 | 第48-50页 |
| ·Ni(SO_4)_(0.3)(OH)_(1.4)形成的影响因素研究 | 第50-57页 |
| ·NI(SO_4)_(0.3)(OH)_(1.4)作为可充放电电池正极的电化学性质测试 | 第57-58页 |
| ·NI(SO_4)_(0.3)(OH)_(1.4)纳米带的热稳定性及NIO多孔纳米带的生成 | 第58-62页 |
| ·单成分Co-LDH的合成及形貌控制 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第三章 多种形貌的碳酸镉纳米晶的可控合成 | 第68-85页 |
| ·导言 | 第68-69页 |
| ·合成思路 | 第69-70页 |
| ·实验部分 | 第70-71页 |
| ·CdCO_3纳米晶的制备 | 第70-71页 |
| ·CdCO_3纳米晶的表征 | 第71页 |
| ·实验结果和讨论 | 第71-78页 |
| ·CdCO_3纳米带的XRD,SEM和TEM结果 | 第71-73页 |
| ·CdCO_3纳米线和纳米带的合成分析 | 第73-74页 |
| ·CdCO_3一维等级结构的合成 | 第74-75页 |
| ·CdCO_3纳米晶合成机理的解释 | 第75-78页 |
| ·CdO多孔纳米带的合成 | 第78-81页 |
| ·CdO一维纳米材料的性能 | 第78-79页 |
| ·CdO多孔纳米带的形貌和晶相分析 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 第四章 声化学方法合成碱土金属锡酸盐和碳酸盐一维纳米材料 | 第85-106页 |
| ·导言 | 第85-86页 |
| ·超声与晶化 | 第86-88页 |
| ·超声沉淀法简述 | 第86-87页 |
| ·超声与晶化控制 | 第87-88页 |
| ·羟基锡酸钙纳米材料的超声合成及表征 | 第88-101页 |
| ·CaSn(OH)_6纳米管的合成过程 | 第88-89页 |
| ·结构表征 | 第89页 |
| ·结果和讨论 | 第89-101页 |
| ·多种形貌碳酸钙纳米晶的可控合成 | 第101-104页 |
| ·碳酸钙纳米晶的合成简述 | 第101页 |
| ·单晶碳酸钙纳米线的合成过程 | 第101-102页 |
| ·结果与讨论 | 第102-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 总结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 已发表论文 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112页 |
