| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 GaAs光导开关研究背景及应用前景 | 第8-9页 |
| 1.1.1 GaAs光导开关研究背景 | 第8页 |
| 1.1.2 GaAs光电导开关应用前景 | 第8-9页 |
| 1.2 弱光触发GaAs PCSS研究历史及现状 | 第9-13页 |
| 1.2.1 国外研究进展 | 第9-11页 |
| 1.2.2 国内研究进展 | 第11-13页 |
| 1.3 GaAs光电导开关光电特性的研究历史及现状 | 第13-17页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第17-18页 |
| 2 GaAs PCSS基本特性 | 第18-28页 |
| 2.1 GaAs的材料特性 | 第18-21页 |
| 2.1.1 GaAs材料基本性质 | 第18页 |
| 2.1.2 GaAs半导体能带结构 | 第18-19页 |
| 2.1.3 GaAs材料速场特性 | 第19-20页 |
| 2.1.4 半绝缘GaAs材料的电阻率及其和温度、杂质浓度的关系 | 第20-21页 |
| 2.2 GaAs PCSS工作模式 | 第21-23页 |
| 2.2.1 线性工作模式 | 第21页 |
| 2.2.2 非线性工作模式及其理论模型 | 第21-23页 |
| 2.3 光激发电荷畴模型 | 第23-25页 |
| 2.3.1 光激发电荷畴 | 第23-24页 |
| 2.3.2 光激发单极畴与耿氏偶极畴的比较 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-28页 |
| 3 实验系统 | 第28-38页 |
| 3.1 实验设备简介 | 第28页 |
| 3.2 脉冲LD系统 | 第28-30页 |
| 3.3 半导体开关制冷系统 | 第30-31页 |
| 3.4 LD的触发光的基本测量 | 第31-33页 |
| 3.4.1 LD触发光能的能量 | 第31页 |
| 3.4.2 LD的光斑形状及其大小 | 第31-32页 |
| 3.4.3 光生载流子浓度随触发距离的变化 | 第32-33页 |
| 3.5 LD触发GaAs PCSS实验开关及其电路 | 第33-36页 |
| 3.5.1 GaAs光电导开关的设计 | 第33-35页 |
| 3.5.2 实验电路图 | 第35-36页 |
| 3.6 本章小结 | 第36-38页 |
| 4 LD触发GaAs PCSS实验及分析 | 第38-48页 |
| 4.1 光电特性理论分析 | 第38-39页 |
| 4.2 触发位置对电场阈值的影响 | 第39-41页 |
| 4.3 触发距离对电场阈值的影响 | 第41-43页 |
| 4.4 温度对电场阈值的影响 | 第43-44页 |
| 4.5 对触发位置、触发距离和温度的作用的讨论 | 第44-45页 |
| 4.6 本章小结 | 第45-48页 |
| 5 结论及展望 | 第48-50页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第48页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 附录 | 第58页 |
