半导体晶体材料放电加工技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-32页 |
| ·半导体晶体应用及其特性 | 第19-20页 |
| ·半导体普通加工研究现状 | 第20-24页 |
| ·带锯切割 | 第20-21页 |
| ·外圆切割 | 第21页 |
| ·内圆切割 | 第21-22页 |
| ·多线切割 | 第22-23页 |
| ·超精密加工 | 第23页 |
| ·激光加工 | 第23-24页 |
| ·放电加工研究现状 | 第24-28页 |
| ·导电材料放电加工 | 第24-25页 |
| ·导电化绝缘材料放电加工 | 第25-26页 |
| ·辅助电极加工 | 第26-28页 |
| ·半导体放电加工 | 第28页 |
| ·本课题的研究意义及主要研究内容 | 第28-32页 |
| ·研究意义及目的 | 第28-29页 |
| ·论文结构及研究方案 | 第29-32页 |
| 第二章 半导体晶体电特性及放电加工系统 | 第32-56页 |
| ·半导体的基本形式及肖特基势垒 | 第32-39页 |
| ·本征半导体 | 第32-34页 |
| ·杂质半导体 | 第34-36页 |
| ·致密的金属-半导体接触 | 第36-37页 |
| ·非致密的金属-半导体接触 | 第37-39页 |
| ·半导体晶体的导电特性 | 第39-45页 |
| ·线性电阻 | 第39-40页 |
| ·肖特基结 | 第40-43页 |
| ·欧姆接触 | 第43-44页 |
| ·势垒的击穿原理 | 第44-45页 |
| ·二极管-电阻组合电路伏安曲线 | 第45-50页 |
| ·电阻组合 | 第45-46页 |
| ·正向二极管组合 | 第46-47页 |
| ·反向二极管组合 | 第47-48页 |
| ·正反二极管组合 | 第48-49页 |
| ·电阻与正向二极管组合 | 第49页 |
| ·电阻与反向二极管组合 | 第49-50页 |
| ·放电加工系统的建立 | 第50-54页 |
| ·放电加工脉冲电源设计 | 第51-52页 |
| ·伺服进给系统设计 | 第52页 |
| ·三维实验平台的设计 | 第52-53页 |
| ·电火花线切割机床改造 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第三章 半导体晶体放电加工进电端特性 | 第56-80页 |
| ·放电加工模型的建立 | 第56-61页 |
| ·金属放电加工模型 | 第56-57页 |
| ·半导体放电加工模型 | 第57-59页 |
| ·半导体两端金属装夹进电模型 | 第59-61页 |
| ·装夹端进电性质的影响因素 | 第61-67页 |
| ·两端金属进电模型的实验验证 | 第61-62页 |
| ·进电压力对曲线的影响 | 第62-63页 |
| ·接触面积对曲线的影响 | 第63-65页 |
| ·两端金属装夹进电的单向导通特性 | 第65-67页 |
| ·半导体放电加工的相关性质 | 第67-71页 |
| ·实验原理 | 第67-68页 |
| ·正极性通电 | 第68-69页 |
| ·负极性通电 | 第69页 |
| ·半导体放电加工的单向导通特性 | 第69-71页 |
| ·进电端的电化学反应 | 第71-74页 |
| ·装夹端的钝化规律 | 第71-73页 |
| ·抗钝化原理与方法 | 第73页 |
| ·放电端电化学反应 | 第73-74页 |
| ·N 型锗放电加工抗钝化方法 | 第74-78页 |
| ·锗材料加工现状 | 第74-75页 |
| ·涂层隔离法 | 第75-77页 |
| ·随动进电法 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第四章 半导体放电加工中的体电阻 | 第80-94页 |
| ·体电阻的概念 | 第80-81页 |
| ·点-面接触体电阻计算 | 第81-85页 |
| ·计算模型 | 第81页 |
| ·各部分电阻计算 | 第81-84页 |
| ·计算结果与分析 | 第84-85页 |
| ·其它形式的电阻计算模型 | 第85-88页 |
| ·线-面接触 | 第85-86页 |
| ·点-点接触 | 第86-87页 |
| ·点-线接触 | 第87页 |
| ·实验验证 | 第87-88页 |
| ·放电加工过程中的体电阻 | 第88-93页 |
| ·放电点附近的材料分布 | 第88-89页 |
| ·放电加工电阻的变化 | 第89-92页 |
| ·脉宽的影响 | 第92页 |
| ·放电电压的影响 | 第92页 |
| ·占空比的影响 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第五章 半导体放电加工蚀除机理 | 第94-116页 |
| ·能量分配 | 第94-96页 |
| ·放电击穿 | 第94页 |
| ·高斯能量分布 | 第94-95页 |
| ·光子发射能量分配 | 第95-96页 |
| ·光发射理论计算模型 | 第96-102页 |
| ·粒子的存在时间 | 第96-97页 |
| ·带电粒子的物质波长 | 第97-98页 |
| ·能量的来源 | 第98页 |
| ·电极的热流密度 | 第98-101页 |
| ·电极的热流量 | 第101-102页 |
| ·平均热流密度 | 第102页 |
| ·光发射模型计算结果 | 第102-104页 |
| ·电极获得的能量 | 第102-103页 |
| ·极性效应 | 第103页 |
| ·脉冲宽度的选择 | 第103-104页 |
| ·基于数值计算的蚀除机理分析 | 第104-109页 |
| ·建立数值模型 | 第104-106页 |
| ·极性效应 | 第106-107页 |
| ·半导体晶体的蚀除 | 第107-109页 |
| ·工艺参数对半导体晶体的蚀除影响 | 第109-112页 |
| ·脉冲宽度的影响 | 第109-110页 |
| ·加工电压的影响 | 第110-111页 |
| ·占空比的影响 | 第111-112页 |
| ·相关实验 | 第112-114页 |
| ·不同电参数下的放电间隙 | 第112-113页 |
| ·不同电参数下的表面粗糙度 | 第113-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 第六章 太阳能级硅放电切割制绒一体化技术 | 第116-134页 |
| ·太阳能电池的制造方法 | 第116-119页 |
| ·太阳能的利用 | 第116-117页 |
| ·硅片的加工制造 | 第117-118页 |
| ·制绒方法 | 第118-119页 |
| ·硅片切割实验 | 第119-123页 |
| ·放电线切割系统改造 | 第119-120页 |
| ·夹具设计 | 第120-121页 |
| ·放电切割实验 | 第121-123页 |
| ·绒面减反射计算 | 第123-131页 |
| ·计算模型 | 第124-125页 |
| ·计算方法 | 第125-126页 |
| ·深径比及入射角对减反射效果的影响 | 第126-127页 |
| ·绒面高度对减反射效果的影响 | 第127-128页 |
| ·两种绒面加权出射系数的计算 | 第128-129页 |
| ·切割表面减反射率 | 第129-131页 |
| ·双线切割 | 第131-133页 |
| ·走丝系统 | 第131-132页 |
| ·切割效率 | 第132页 |
| ·切割厚度及切缝宽度 | 第132-133页 |
| ·本章小结 | 第133-134页 |
| 第七章 结论及工作展望 | 第134-137页 |
| ·论文总结 | 第134-135页 |
| ·主要创新点 | 第135页 |
| ·论文展望 | 第135-137页 |
| 参考文献 | 第137-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第145-146页 |
