| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 GaN材料 | 第11-12页 |
| 1.2 GaN的MOVPE生长 | 第12-13页 |
| 1.3 GaN生长的气相反应和表面反应 | 第13-14页 |
| 1.4 GaN表面反应的研究现状 | 第14-20页 |
| 1.5 GaN表面反应存在的问题 | 第20-21页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第23-34页 |
| 2.1 表面反应理论基础 | 第23-27页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第27-29页 |
| 2.3 交换关联能求解近似方法 | 第29-30页 |
| 2.4 Materials Studio软件 | 第30-32页 |
| 2.5 相关的化学与物理量定义 | 第32-34页 |
| 第三章 生长粒子在GaN(0001)-Ga理想表面的吸附 | 第34-46页 |
| 3.1 理论模型和计算方法 | 第34-36页 |
| 3.2 Ga(NH_2)_3的吸附 | 第36-39页 |
| 3.3 MMG(NH_2)_2的吸附 | 第39-42页 |
| 3.4 DMGNH_2的吸附 | 第42-44页 |
| 3.5 小结 | 第44-46页 |
| 第四章 生长粒子在GaN(0001)-Ga面的扩散 | 第46-62页 |
| 4.1 含N粒子在理想表面的扩散 | 第46-52页 |
| 4.1.1 N的扩散 | 第46-48页 |
| 4.1.2 NH的扩散 | 第48-50页 |
| 4.1.3 NH_2的扩散 | 第50-51页 |
| 4.1.4 NH_3的扩散 | 第51-52页 |
| 4.2 含N粒子在H覆盖表面的扩散 | 第52-55页 |
| 4.2.1 N的扩散 | 第52-53页 |
| 4.2.2 NH的扩散 | 第53-54页 |
| 4.2.3 NH_2的扩散 | 第54-55页 |
| 4.3 含Ga粒子在表面的扩散 | 第55-61页 |
| 4.3.1 Ga在理想表面的扩散 | 第55-57页 |
| 4.3.2 MMG在理想表面的扩散 | 第57-59页 |
| 4.3.3 Ga在H覆盖表面的扩散 | 第59-61页 |
| 4.4 小结 | 第61-62页 |
| 第五章 MOVPE生长中GaN(0001)-Ga面的台阶吸附研究 | 第62-79页 |
| 5.1 理论模型和计算方法 | 第62-63页 |
| 5.2 含Ga粒子的吸附 | 第63-71页 |
| 5.2.1 Ga的吸附 | 第63-65页 |
| 5.2.2 MMG的吸附 | 第65-67页 |
| 5.2.3 DMGNH_2的吸附 | 第67-71页 |
| 5.3 含N粒子的吸附 | 第71-76页 |
| 5.3.1 NH_3的吸附 | 第71-73页 |
| 5.3.2 NH_2的吸附 | 第73-76页 |
| 5.4 H2的吸附 | 第76-78页 |
| 5.5 小结 | 第78-79页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第79-82页 |
| 6.1 全文总结 | 第79-80页 |
| 6.2 存在的不足 | 第80页 |
| 6.3 工作展望 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第86页 |
