金属氧化物基RRAM的阻变机理与仿真研究
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 半导体存储器 | 第7-10页 |
| 1.1.1 存储器基本概念及应用 | 第7-8页 |
| 1.1.2 易失性存储器 | 第8-9页 |
| 1.1.3 非易失性存储器 | 第9-10页 |
| 1.2 新型非易失性存储器的研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 铁电随机存储器 | 第10-11页 |
| 1.2.2 相变随机存储器 | 第11-12页 |
| 1.2.3 磁阻随机存储器 | 第12页 |
| 1.2.4 阻变随机存储器 | 第12-13页 |
| 1.3 本论文的研究内容及思路 | 第13-15页 |
| 2 阻变存储器概述 | 第15-24页 |
| 2.1 阻变存储器材料体系 | 第15-16页 |
| 2.2 阻变存储器中的漏电流问题及其解决途径 | 第16-20页 |
| 2.3 阻变存储器的阻变机制 | 第20-24页 |
| 2.3.1 界面势垒机制 | 第20-21页 |
| 2.3.2 金属导电丝机制 | 第21-22页 |
| 2.3.3 氧空位导电丝机制 | 第22-24页 |
| 3 二元金属氧化物器件中的多极阻变现象 | 第24-33页 |
| 3.1 器件制备与测试 | 第24-25页 |
| 3.2 双极性阻变特性性能表征与分析 | 第25-26页 |
| 3.2.1 双极性阻变电学效应 | 第25-26页 |
| 3.2.2 多值存储效应 | 第26页 |
| 3.3 互补型阻变特性性能表征与分析 | 第26-28页 |
| 3.4 寄生阻变特性性能表征与分析 | 第28-31页 |
| 3.5 多极阻变的逆转化及总结 | 第31-33页 |
| 4 基于COMSOL的RRAM建模与仿真 | 第33-45页 |
| 4.1 RRAM电-热耦合模型 | 第33-36页 |
| 4.1.1 电-热耦合模型方程 | 第33-34页 |
| 4.1.2 电-热耦合建模步骤 | 第34-36页 |
| 4.2 器件在不同偏置下的过程仿真 | 第36-42页 |
| 4.2.1 不同正向偏置电压下的过程仿真 | 第36-39页 |
| 4.2.2 不同反向偏置电压下的过程仿真 | 第39-42页 |
| 4.3 器件BRS特性仿真 | 第42-43页 |
| 4.4 器件CRS特性仿真 | 第43页 |
| 4.5 小结 | 第43-45页 |
| 5 总结与展望 | 第45-48页 |
| 5.1 总结 | 第45-47页 |
| 5.2 展望 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 附录 | 第53页 |
| A.作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第53页 |
| B.作者在攻读学位期间取得的科研成果目录 | 第53页 |
