| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstarct | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO的晶体结构和基本性质 | 第10-18页 |
| 1.3 ZnO的光电性能调控 | 第18-24页 |
| 1.4 本工作的选题思路、研究内容和研究意义 | 第24-26页 |
| 2 实验部分 | 第26-32页 |
| 2.1 主要原料和试剂 | 第26页 |
| 2.2 主要实验设备 | 第26-27页 |
| 2.3 材料表征分析方法 | 第27-28页 |
| 2.4 ZnO纳米棒阵列膜的合成 | 第28-30页 |
| 2.5 光电性能测试 | 第30-32页 |
| 3 缺陷调控对ZnO纳米棒阵列膜光电特性的影响 | 第32-51页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 实验部分 | 第33-35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 4 Mn_3O_4量子点包覆对ZnO纳米棒阵列膜光电特性的影响 | 第51-65页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 实验部分 | 第52-53页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第53-61页 |
| 4.4 p-n异质结对ZnO纳米棒阵列膜光电特性的影响 | 第61-64页 |
| 4.5 本章总结 | 第64-65页 |
| 5 全文总结和展望 | 第65-68页 |
| 5.1 全文总结 | 第65-66页 |
| 5.2 工作展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附录 攻读硕士期间发表的论文 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-77页 |