| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 新型存储器的发展概述 | 第8-10页 |
| 1.3 相变存储器的原理及特性 | 第10-14页 |
| 1.4 相变存储器的热串扰 | 第14-16页 |
| 1.5 本论文研究目的与内容结构 | 第16-18页 |
| 2 相变存储阵列的工艺制备 | 第18-29页 |
| 2.1 相变存储阵列的版图设计 | 第19-20页 |
| 2.2 相变存储阵列的制备工艺及流程 | 第20-27页 |
| 2.3 相变存储阵列的I-V特性曲线测试 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 基于ANSYS的相变存储阵列的热串扰仿真 | 第29-42页 |
| 3.1 有限元法简介 | 第29-30页 |
| 3.2 基于ANSYS的相变存储阵列的热电分析 | 第30-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 相变存储阵列的热串扰测试 | 第42-58页 |
| 4.1 相变存储阵列的热串扰测试原理 | 第42-46页 |
| 4.2 相变存储阵列的热串扰的测试方案 | 第46-56页 |
| 4.3 相变存储阵列的热串扰测试样例 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 5 总结与展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |