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氮化碳膜电极的强化及其降解银氰络合物的研究

摘要第4-5页
abstract第5页
第一章 绪论第12-16页
    1.1 课题研究背景及意义第12-13页
    1.2 本文主要研究内容和技术路线第13-16页
        1.2.1 本文主要研究内容第13-15页
        1.2.2 技术路线第15-16页
第二章 文献综述第16-26页
    2.1 类石墨相氮化碳(g-C_3N_4)第16-21页
        2.1.1 g-C_3N_4的性质及相关概述第16-18页
        2.1.2 g-C_3N_4膜电极的制备方法第18-19页
            2.1.2.1 泡沫模板法第18页
            2.1.2.2 溶胶凝胶法第18页
            2.1.2.3 化学剥离法第18页
            2.1.2.4 化学沉积法第18页
            2.1.2.5 旋转涂布法第18-19页
        2.1.3 提高g-C_3N_4光电催化性能的方法第19-21页
            2.1.3.1 贵金属沉积第19页
            2.1.3.2 半导体复合第19-20页
            2.1.3.3 金属元素掺杂第20页
            2.1.3.4 非金属元素掺杂第20-21页
            2.1.3.5 形貌调控第21页
    2.2 银氰络合物第21-23页
        2.2.1 银氰络合物的来源与危害第21-22页
        2.2.2 氰化物的处理方法第22-23页
            2.2.2.1 物化法第22页
            2.2.2.2 化学法第22-23页
            2.2.2.3 生物法第23页
            2.2.2.4 光电催化氧化法第23页
    2.3 文献小结第23-26页
第三章 H_2O_2强化g-C_3N_4可见光电催化降解亚甲基蓝的研究第26-38页
    3.1 引言第26页
    3.2 实验部分第26-28页
        3.2.1 试剂与仪器第26-27页
        3.2.2 实验方法第27-28页
    3.3 结果与讨论第28-36页
        3.3.1 g-C_3N_4薄膜电极的物理化学性能表征第28-30页
        3.3.2 g-C_3N_4/H_2O_2体系降解亚甲基蓝第30-31页
        3.3.3 H_2O_2浓度对降解效果的影响第31-32页
        3.3.4 vis-g-C_3N_4/H_2O_2催化反应机理研究第32-34页
        3.3.5 外加电压对g-C_3N_4/H_2O_2体系降解效果的影响第34-35页
        3.3.6 初始pH值对降解效果的影响第35页
        3.3.7 电极的稳定性分析第35-36页
    3.4 本章小结第36-38页
第四章 Ag掺杂g-C_3N_4薄膜电极的制备及光电性能研究第38-52页
    4.1 引言第38页
    4.2 实验部分第38-39页
        4.2.1 试剂与仪器第38-39页
        4.2.2 实验方法第39页
    4.3 结果与讨论第39-50页
        4.3.1 SEM-EDX表面形貌分析第39-40页
        4.3.2 HRTEM-STEM分析第40-42页
        4.3.3 XRD分析第42-43页
        4.3.4 FT-IR分析第43-44页
        4.3.5 紫外可见漫反射分析第44-45页
        4.3.6 XPS分析第45-46页
        4.3.7 Ag/g-C_3N_4的光电化学特性第46-48页
        4.3.8 机理分析第48-50页
    4.4 本章小结第50-52页
第五章 Na_2WO_4掺杂g-C_3N_4薄膜电极的制备及光电性能研究第52-62页
    5.1 引言第52页
    5.2 实验材料与方法第52-53页
        5.2.1 试剂与仪器第52-53页
        5.2.2 实验方法第53页
    5.3 结果与讨论第53-62页
        5.3.1 SEM-EDX表面形貌分析第53-56页
        5.3.2 XRD分析第56页
        5.3.3 FT-IR分析第56-57页
        5.3.4 紫外可见漫反射分析第57-58页
        5.3.5 XPS分析第58-59页
        5.3.6 W/g-C_3N_4的光电化学特性第59-61页
        5.3.7 机理分析第61-62页
    5.4 本章小结第62页
第六章 H_2O_2强化g-C_3N_4薄膜电极降解银氰络合物同时回收Ag研究第62-81页
    6.1 引言第62-63页
    6.2 实验部分第63-65页
        6.2.1 试剂与仪器第63-64页
        6.2.2 实验方法第64-65页
    6.3 结果与讨论第65-80页
        6.3.1 不同体系下降解银氰络合物第65-66页
        6.3.2 H_2O_2浓度对g-C_3N_4/H_2O_2光电催化降解银氰络合物的影响第66-67页
        6.3.3 光电催化体系降解银氰络合物循环实验第67-68页
        6.3.4 光电催化体系Ag质量平衡第68-69页
        6.3.5 光电催化体系N质量平衡第69-70页
        6.3.6 g-C_3N_4电极的表征第70-74页
            6.3.6.1 SEM-EDX表面形貌分析第70-71页
            6.3.6.2 XRD分析第71页
            6.3.6.3 XPS分析第71-74页
        6.3.7 钛电极的表征第74-76页
            6.3.7.1 钛电极的SEM-EDS分析第74页
            6.3.7.2 XPS分析第74-76页
        6.3.8 机理分析第76-80页
            6.3.8.1 光电催化体系中g-C_3N_4的光电化学特性第76-77页
            6.3.8.2 自由基抑制实验第77-80页
    6.4 本章小结第80-81页
第七章 结论与展望第81-83页
    7.1 结论第81-82页
    7.2 展望第82-83页
参考文献第83-89页
攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果第89-91页
致谢第91页

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