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MPCVD法在铜基体上制备高导热金刚石膜

中文摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-20页
    1.1 热沉材料及其应用现状第10-12页
    1.2 铜的性能与应用第12-13页
        1.2.1 铜的基本物理性质第12页
        1.2.2 铜的基本化学性质第12页
        1.2.3 铜的用途第12-13页
    1.3 金刚石的性能与应用第13-14页
        1.3.1 金刚石的结构第13页
        1.3.2 金刚石的力学性能及应用第13-14页
        1.3.3 金刚石的电学性能及应用第14页
        1.3.4 金刚石的热学性能及其应用第14页
    1.4 金刚石/铜复合材料第14-16页
        1.4.1 金刚石粉/铜基复合材料的研究现状第15-16页
        1.4.2 铜/金刚石膜复合散热材料研究现状第16页
    1.5 CVD金刚石膜制备工艺第16-19页
        1.5.1 热丝CVD法(HFCVD)第17页
        1.5.2 直流电弧等离子体喷射CVD法(DC Plasma Jet CVD)第17-18页
        1.5.3 微波等离子体CVD法(MPCVD)第18-19页
    1.6 研究目标与内容第19-20页
        1.6.1 研究目标第19页
        1.6.2 研究内容第19-20页
第2章 实验流程、装置与表征方法第20-28页
    2.1 实验方案第20页
    2.2 实验流程第20-21页
    2.3 实验装置第21-22页
        2.3.1 直流电镀第21页
        2.3.2 管式炉第21页
        2.3.3 MPCVD-4沉积装置第21-22页
    2.4 实验原理第22-25页
        2.4.1 金刚石形核第23-24页
        2.4.2 亚稳态生长第24-25页
    2.5 表征方法第25-28页
第3章 铜表面氧化后制备金刚石膜的研究第28-36页
    3.1 金属氧化机理第28页
    3.2 热处理工艺第28-32页
        3.2.1 氧化铜和氧化亚铜的热力学稳定性分析第28-29页
        3.2.2 氧分压对氧化层的影响第29-31页
        3.2.3 温度对氧化层的影响第31-32页
    3.3 氧化亚铜过渡层制备金刚石膜第32-35页
        3.3.1 氧化亚铜过渡层制备金刚石膜的XRD分析第33-34页
        3.3.2 氧化亚铜过渡层制备金刚石膜的拉曼光谱第34页
        3.3.3 氧化亚铜过渡层制备金刚石膜的表面形貌第34-35页
        3.3.4 金刚石膜与铜基体间的界面状态分析第35页
    3.4 本章小结第35-36页
第4章 铜基体上制备金刚石膜的工艺探究第36-51页
    4.1 Cu/Cu_2O/Ni复合过渡层的制备第36-38页
    4.2 碳源浓度的影响第38-39页
    4.3 基片预处理对金刚石形核的影响第39-42页
    4.4 微波功率的影响第42-43页
    4.5 反应气压的影响第43-45页
    4.6 掺氧的影响第45-47页
    4.7 气源系统的影响第47-49页
    4.8 本章小结第49-51页
第5章 铜基金刚石膜的性能分析第51-57页
    5.1 金刚石膜的质量分析第51-52页
    5.2 铜基金刚石膜结合力分析第52-53页
    5.3 铜基金刚石膜热导率分析第53-56页
        5.3.1 碳源浓度对金刚石膜热导率的影响第54-55页
        5.3.2 沉积时间对金刚石膜热导率的影响第55-56页
    5.4 本章小结第56-57页
第6章 结论与创新点第57-58页
    6.1 结论第57页
    6.2 创新点第57-58页
致谢第58-59页
参考文献第59-64页
附录 攻读硕士学位期间拟发表的论文第64页

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