| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 PZT薄膜的发展过程及其应用 | 第9-12页 |
| 1.1.1 PZT薄膜的发展过程 | 第9页 |
| 1.1.2 PZT薄膜的应用 | 第9-12页 |
| 1.2 PZT材料的结构与性质 | 第12-16页 |
| 1.3 PZT薄膜的研究进展 | 第16-20页 |
| 1.3.1 PZT薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| 1.3.2 PZT薄膜的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.4 论文的研究意义和研究内容 | 第20-22页 |
| 2 PZT薄膜的制备与表征方法 | 第22-32页 |
| 2.1 PZT薄膜的制备过程 | 第22-25页 |
| 2.1.1 PZT前驱体溶液的配制 | 第22-24页 |
| 2.1.2 PZT溶液的旋涂方法 | 第24页 |
| 2.1.3 PZT薄膜的热处理过程 | 第24-25页 |
| 2.2 PZT薄膜的结晶过程和择优取向生长机理 | 第25-26页 |
| 2.2.1 PZT薄膜的结晶过程 | 第25页 |
| 2.2.2 PZT择优取向生长机理 | 第25-26页 |
| 2.3 PZT薄膜的表征方法 | 第26-30页 |
| 2.3.1 PZT薄膜厚度的表征方法 | 第26-27页 |
| 2.3.2 PZT薄膜晶向的表征方法 | 第27-28页 |
| 2.3.3 PZT薄膜微观形貌的表征方法 | 第28页 |
| 2.3.4 PZT薄膜介电性能的表征方法 | 第28-29页 |
| 2.3.5 PZT薄膜铁电和抗疲劳性能的表征方法 | 第29-30页 |
| 2.3.6 PZT薄膜振动性能的表征方法 | 第30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 3 缓冲层工艺对PZT薄膜生长的影响 | 第32-44页 |
| 3.1 PbTiO3缓冲层对PZT薄膜生长的影响 | 第32-36页 |
| 3.1.1 PbTiO3缓冲层的制备 | 第32-33页 |
| 3.1.2 PbTiO3缓冲层对PZT薄膜晶向和微观结构的影响 | 第33-34页 |
| 3.1.3 PbTiO3缓冲层对PZT薄膜介电和铁电性能的影响 | 第34-36页 |
| 3.2 PZT缓冲层对PZT薄膜生长的影响 | 第36-43页 |
| 3.2.1 PZT缓冲层的制备 | 第36页 |
| 3.2.2 PZT缓冲层对PZT薄膜晶向的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.3 PZT缓冲层对PZT薄膜微观结构的影响 | 第38-40页 |
| 3.2.4 PZT缓冲层对PZT薄膜介电性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.5 PZT缓冲层对PZT薄膜铁电和抗疲劳性能的影响 | 第41-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 掺杂PZT薄膜的制备和表征 | 第44-64页 |
| 4.1 掺杂PZT概述 | 第44-45页 |
| 4.2 PZTNb薄膜的制备和表征 | 第45-51页 |
| 4.2.1 PZTNb薄膜的晶向表征 | 第45-47页 |
| 4.2.2 PZTNb薄膜的微观结构表征 | 第47-48页 |
| 4.2.3 PZTNb薄膜的介电性能表征 | 第48-49页 |
| 4.2.4 PZTNb薄膜的铁电和抗疲劳性能表征 | 第49-51页 |
| 4.3 PZTNd薄膜的制备和表征 | 第51-61页 |
| 4.3.1 PZTNd薄膜的晶向表征 | 第52-54页 |
| 4.3.2 PZTNd薄膜的微观结构表征 | 第54-57页 |
| 4.3.3 PZTNd薄膜的介电性能表征 | 第57-59页 |
| 4.3.4 PZTNd薄膜的铁电和抗疲劳性能表征 | 第59-61页 |
| 4.4 掺杂改性机理分析 | 第61-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 5 压电微执行器的制作及其特性检测 | 第64-70页 |
| 5.1 压电微执行器的制作 | 第64-65页 |
| 5.2 压电微执行器的振动性能测试 | 第65-67页 |
| 5.3 喷墨测试 | 第67-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
